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氮化鎵（GaN、Gallium nitride）是氮和鎵的化合物，是一種III族和V族的直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極體中。 此化合物結構類似 纖鋅礦 ，硬度很高。
2022年7月12日 · 氮化鎵（GaN）是一種堅硬且非常穩定的第三代半導體材料，可以在高溫和高電壓下，進行長時間的運作。 另外，以氮化鎵（GaN）製成的晶片特色之一就是閥極切換速度快、效率高，是現在市面充電器常用的元件。 但除了氮化鎵之外，充電器產品內部使用的各種IC、零件和電路設計，之間互相的配合，才能真正造就小體積、高效率的充電器。 氮化鎵 GaN 有哪些特色? 雖然氮化鎵（GaN）元件的特色在於速度快、效率高，但工作頻率高也意味著氮化鎵（GaN）有著高輻射的特性。 由於應用在消費性產品，必須顧及使用者安全，因此在導入消費性產品時，產品印刷電路板布局必須充分減少電源和驅動迴路內的總電感，以達到對元件切換性能的最佳控制，並且需要在產品效率註一與安全規範間取得平衡。 充電器一定要搭配氮化鎵 GaN 技術嗎?
2023年9月6日 · 現在採用的主流是異質磊晶結構：矽基氮化鎵(GaN-on Si)、碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)為主流。 台廠相關供應鏈：除嘉晶(3016-TW)之外，其餘台廠環球晶(6488-TW)、全新(2455-TW)、富采(3714-TW)、台亞(2340-TW)等，多以碳化矽磊晶為主。
氮化鎵（GaN）是一種寬能隙半導體，用於高效功率電晶體和集成電路。 在GaN晶體的頂部生長氮化鋁鎵（AlGaN）薄層，並在界面施加應力，從而產生二維電子氣（2DEG）。 2DEG用於在電場作用下，高效地傳導電子。 2DEG具有高導電性，部份原因是由於電子被困在界面處的非常細小的區域，從而將電子的遷移率從未施加應力前約1000平方厘米/V·s，增加到2DEG區域中的1500至2000平方厘米/V·s。 與矽基解決方案相比，氮化鎵電晶體及集成電路具有的高電子遷移率，可實現更高的擊穿强度、更快的開關、更高的導熱率和更低的導通電阻。 氮化鎵半導體時代正在不斷邁步向前.
氮化鎵（GaN、Gallium nitride）是氮和鎵的化合物，是一種III族和V族的直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極體中。 此化合物結構類似 纖鋅礦 ，硬度很高。
2021年11月19日 · 氮化鎵GaN簡介. 氮化鎵GaN是什麼呢？ 氮化鎵GaN是氮（N）和鎵（Ga）的化合物，同時被視為高科技領域中重要的第三代半導體材料。 過去普遍使用的的控制晶片材料是矽，但矽本身不耐高電壓，在熱能和電力傳輸方面有限，元件也無法變得更小，與矽相比，氮化鎵GaN可以傳導更高的電壓，在高溫環境下仍然可以保持優異的效能和穩定度，尺寸上也能做得更小，因此隨著近年來氮化鎵 GaN技術逐漸成熟，也開始成為半導體的未來之星。 氮化鎵GaN充電器的興起. 其實氮化鎵在多年以前就已經有相關的研究與應用了，但由於當時氮化鎵的技術還不夠成熟，無法順利應用在半導體產業，一直到近年技術有了大突破，成本才得以降低，氮化鎵也因此快速崛起，開始被廣泛應用在各大領域，如今全球非常多的半導體大廠都已經在陸續開發相關產品。
2020年4月28日 · 氮化鎵GaN是氮（N）與鎵（Ga）的化合物，用於半導體產業，為 第三代半導體材料 。. 其實氮化鎵GaN的研究早已超過30年，但在近年才開始成為半導體未來之星的原因是 早期受限於製程技術無法大量製造 。. 根據法國專業科技產業市調機構 「 Yole ...
什麼是氮化鎵 (GaN)？ 氮化鎵 (GaN) 是一種寬能隙半導體，與傳統矽金屬氧化半導體場效電晶體 (MOSFET) 和絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 相比，可提供更高的功率密度與更高效率。
2020年1月10日 · 擁有高頻優勢，氮化鎵是 5G 時代的理想半導體材料. LED 領域發光發熱後，近來受惠 5G、電動車應用推升，對高頻率、高功率元件需求成長，市場對氮化鎵的討論聲浪再度高漲。 氮化鎵主要應用於 600 至 1000 伏特的電壓區間，具備低導通電阻、高頻率等優勢，可在高溫、高電壓環境下運作，但主要優勢仍在於高頻率元件，在高壓與高功率表現上，雖優於矽基材料，但不如碳化矽材料表現亮眼。 從應用面來看，氮化鎵應用包括變頻器、變壓器與無線充電，為國防、雷達、衛星通訊與無線通訊基地站等無線通訊設備的理想功率放大元件。
氮化鎵（GaN）提供更快的開關速度、更小的尺寸、更高的效率、以及更低的成本。讓我們一起瞭解氮化鎵（GaN）市場，以及其各種應用和氮化鎵（GaN）不斷發展的未來，看看氮化鎵（GaN）是如何改變我們的生活方式。
