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2023年7月16日 · 台亞 半導體 近期積極搶進第三類半導體事業，將其視為感測元件下一個主力發展的產業。 其中，碳化矽（SiC）生產製造，預計年底前完成mini line建置，預計2024年Q1逐季市場；氮化鎵部分，則是預備建置8吋生產線，投入矽基氮化鎵（GaN on Si）方案，現已有已有小量訂單，有望年底前能進入生產階段。...
2021年9月21日 · 聯電近年積極投入第三代半導體，主要鎖定射頻元件的氮化鎵應用，本月宣布與驅動IC封測廠頎邦換股策略合作，頎邦在功率及5G射頻元件的碳化矽及氮化鎵封測已量產，合作效益可望很快浮現。 由於 SiC...
2022年1月3日 · 至於第3類半導體材料，則以氮化鎵（GaN）和碳化矽（SiC）為主，近年來在氣候暖化效應促使「淨零碳排」議題受到矚目，次世代5G通訊技術趨於成熟，以及電動車、航太、資料中心與能源應用的加速推進，需求正高速起飛。...
2022年6月23日 · 目標為第三類半導體「類IDM」 台亞氮化鎵方案2023年送樣. 盧佳柔. 更新時間： 2022年6月23日. 台亞半導體新任總經理衣冠君今年4月上任後，即積極推動氮化鎵業務，期能結合台亞過去在三五族磊晶的經驗，拓展新的事業版圖。 （台亞提供）...
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2022年9月19日 · 而第三代半導體以碳化矽以及氮化鎵（GaN）為代表，可應用在更高階的高壓功率元件（Power）以及高頻通訊元件（RF）領域，碳化矽由於其耐高溫及高壓特性，市場最看好在電動車（EV）市場的應用，包括充電樁、電動車逆變器（Inverter）、DC/DC轉換器（conveter）、充電樁等，另還有儲能系統和工業設施。...
2020年2月22日 · 半導體材料第一代為矽（Si）等，第二代兩種以上元素組成的化合物半導體材料，以砷化鎵（GaAs）等為代表，第三代則是氮化鎵（GaN）等寬頻化合物半導體材料；因氮化鎵能在高溫、高電壓環境運作，主要優勢在於高頻率元件。 進入5G世代，對高頻率、高功率元件需求成長，因而再度引發市場對氮化鎵的討論。...
2023年1月14日 · 台亞為半導體整體解決方案製造商，規劃第三代半導體深耕氮化鎵化合物的研發與製造。 據統計目前投資台灣三大方案已有1306家企業參與，投資超過1.92兆元，並創造14.23萬個本國就業機會。 台亞半導體此次投資案，計劃在新竹科學園區廠房興建無塵室，同時新增設智慧化產線，並導入生產監控數位系統，總斥資近90億元以深耕氮化鎵化合物半導體的研發與製造。...
