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第三代半導體是什麼?
碳化矽在高功率應用時有哪些基本限制?
第3代SiC-MOSFET有何變化?
半導體是什麼?
第三代半導體，不同於第一代半導體材料（矽 Si、鍺 Ge）與第二代半導體材料（砷化鎵 GsAs、磷化銦 InP），第三代半導體的主要材料則為碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）兩種，由於產品特性的不同，各代半導體也分別有不同領域的應用。
2021年9月22日 · 第三代半導體是目前高科技領域最熱門的話題，在 5G、電動車、再生能源、工業 4.0 發展中扮演不可或缺的角色，即使常聽到這些消息，相信許多人對它仍一知半解，好比第三代半導體到底是什麼？ 為何台積電、鴻海積極布局？ 台灣為什麼必須跟上這一波商機？ 對此，本系列專題將用最淺顯易懂、最全方位的角度，帶你了解這個足以影響科技產業未來的關鍵技術。 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews. 科技新知，時時更新. 科技新報粉絲團 加入好友 訂閱免費電子報. 關鍵字: 5G , GaN , SiC , 第三代半導體 , 電動車. Post navigation.
2021年12月24日 · 第三代半導體又稱寬能隙半導體（Wide-bandgap Semiconductor，WBG），以 SiC（碳化矽）、GaN（氮化鎵）兩種化合物半導體為代表。 與傳統的 Si 相比，擁有耐高溫高壓、高功率、低耗損等優勢。 以 SiC 為例，其能隙為 Si 的 3 倍，使其可承受電壓為 Si 的 10 倍，可承受溫度為 3 倍，因此非常適合用在電動車、5G 等要求高壓、大電流且須高溫運行的應用。 Source：engineering.com. 而 GaN 則通常以磊晶方式長在 Si 或 SiC 上（關於磊晶，可參考 <第三代半導體發展近況？
2022年12月14日 · 邱品蓉. 隨著電動車商機持續發酵，第三類半導體的發展也持續受到關注。 資策會今（14日）表示，自2023年開始，隨著8吋矽晶圓的成本效益提升，第三類半導體相關台廠表現將會更加活躍。 碳化矽晶圓開始往8吋轉進，帶動台廠供應鏈. 由於當前諸如第三類半導體材料大廠Wolfspeed、II-VI（貳陸）等企業開始啟動8吋晶圓量產，顯示碳化矽（SiC）正逐漸從過去常見的6吋往8吋轉進，資策會指出，這對於台廠在2023年8吋碳化矽的量產開發上，將產生四項影響。 延伸閱讀： 無懼對手虎視電動車大餅，Wolfspeed如何穩居碳化矽基板之王？ 首先，是部分台廠將會跟進8吋碳化矽晶圓的開發。
2022年4月12日 · 近年來有關第三代半導體的市場題材相當多，其中最令人矚目者，當屬碳化矽 (SiC)功率元件在電動車的應用商機了。 SiC元件在電動車的系統應用主要是逆變器、車載充電器 (OBC)以及直流變壓器等。 相較於傳統矽基模組效能，其可減少約50%電能轉換損耗、降低20%的電源轉換系統成本，並能提升電動車4%左右的續航能力。 目前電動車技術在世界各國淨零碳排政策強力帶動下，已成為未來10年全球汽車產業的發展重點，許多大廠爭相投入此領域布局。 例如鴻海集團在2021年斥資37億元進駐竹科，藉由併購旺宏6吋廠成立全資子公司「鴻揚半導體」，作為其SiC研發中心，打造完整的電動車供應鏈。
2022年10月4日 · 第三代半導體，又稱為「寬能隙半導體」，是「碳化矽」 (SiC) 和「氮化鎵」 (GaN)，寬能隙半導體中的「能隙」，是指讓半導體從絕緣到導電所需的最低能量，也因此當遇到高壓高溫時，比較不會從絕緣變導電，這個特性讓第三代半導體更穩定，能源轉換的表現也更佳。 而第三代半導體的「碳化矽」跟「氮化鎵」運用領域不盡相同，「氮化鎵」元件，常用在電壓 900V 以下，像是基地台、5G 通訊、充電器。 「碳化矽」是電壓大於 1200V，像是電動車相關。
2019年7月17日 · 碳化矽 (SiC)屬於第三代半導體材料，具有1X1共價鍵的矽和碳化合物，其莫氏硬度為13，僅次於鑽石 (15)和碳化硼 (14)。 據說，SiC在天然環境下非常罕見，最早是人們在太陽系剛誕生的46億年前的隕石中，發現了少量這種物質，所以它又被稱為「經歷46億年時光之旅的半導體材料」。 SiC作為半導體材料具有優異的性能，尤其是用於功率轉換和控制的功率元件。 與傳統矽元件相比可以實現低導通電阻、高速開關和耐高溫高壓工作，因此在電源、汽車、鐵路、工業設備和家用消費電子設備中倍受歡迎。 雖然SiC最後透過人工合成可以製造，但因加工極其困難，所以SiC功率元件量產化曾一度令研究者們頭疼。 日前，羅姆半導體 (Rohm Semiconductor)在深圳舉辦了一場SiC功率元件主題的媒體交流會。
