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第三代半導體應用1：高頻通訊如5G、衛星通訊. 第一個應用，是將氮化鎵材料用來製作5G、高頻通訊的材料（簡稱RF GaN） 。. 過去20年，許多人想用成熟的矽製程，做出可以用在5G高頻通訊上的零組件。. 最有名的是高通在2013年推出的RF 360計畫。. 當時市場上擔心 ...
但在部分國內半導體業界人士眼中，歐美日大廠獨霸現今全球半導體設備市場的局面，可能隨著第三類半導體（或稱化合物半導體）需求激增而有所改變。 因為，與當前的矽基半導體相比，碳化矽（SiC）、砷化镓（GaAs）或氮化镓（GaN）等第三類半導體儘管市場規模相對不大，近幾年卻快速成長，前景極佳，成長空間非常大。 而且，第三類半導體的設備主流尚未「定於一尊」，給了台廠迎頭趕上、甚至與國際A咖平起平坐的機會。 或許在10~20年後，專攻第三類半導體的本土設備商或材料商，可望成為台灣半導體霸業在矽基半導體之外的第二隻腳。 「台灣有機會在Silicon之外，再多出第二隻腳！
Wolfspeed（ NYSE：WOLF ）為第三代半導體龍頭，前身為Cree，成立於1987年，總部位於美國北卡羅萊納州。 原先在Cree時期，業務包含LED、照明以及功率與射頻（RF）元件之研發、製造、銷售，為一IDM（垂直整合製造）公司；後於2019起，陸續出售其LED與照明部門，專注於碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬能隙（Wide Bandgap，WBG）材料與元件之設計製造，並更名為Wolfspeed。 第三代（寬能隙）半導體與矽相比，更能耐高溫高壓高頻，適合通訊、車用. 業界將不同材料製成的半導體，隨著時代的演進分為第一、二、三半導體，不過代與代之間並無優劣之分。
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第一代半導體是什麼?
為何第三代寬能隙半導體市場成為兵家必爭之地?
第3代半導體將重塑全球消費性電源市場嗎?
- 第三代半導體：兼顧減碳、提升電源系統效益
- Gan車用市場應用熱，穩定性也被建立起標準
- Jedec：提出量測碳化矽mosfet的可靠性指南
Edoardo Merli簡單回顧背景，半導體原料最大宗主要以第一代的「矽（Si）」晶圓的生產製造為主；然而也因物理特性已達極限，無法再提升電量、降低熱損、提升速度。因此，具備高能效、低能耗的第三代半導體也就因應而生，代表碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）。同時，受到5G、電動車、可再生能源等領域拉動，現已邁入高速成長期。 Merli在演說上，聚焦在第三代半導體為電源系統帶來的助益；以及，在滿足對高效電源系統日益增長的需求，又如何做到減少碳足跡。 Merli提出數據，2018年全球總電用量超過每小時22,000Twh，而製造工業就佔據了42%的比例，「如果我們在工業用電做到1%的提升，那麼就可以省下93.6Twh。」這樣的節能成效，也相當於15個核電站的排放量。同時，這也回應到意法半導體近期...
為了加速電動車技術導入，滿足續航里程、充電時間與「CP值」的要求，全球汽車大廠普遍在研發上，往往需要更高的電池容量、更優的充電性能；而應用第三代半導體，就能實現極低的電容以及理想的導通電阻。 舉例來看，德州儀器今年就鎖定車用市場，推出車用氮化鎵{{{場效電晶體}}}（GaN FET）整合驅動器，可謂充分發揮氮化鎵的優點，實現高效率、高頻率開關性能，同時避免衍生出設計與元件選擇問題。 從德州儀器的數據來看，其所開發的氮化鎵元件具有超過4000萬小時的可靠度，能滿足汽車製造商對強健性的標準。如此看來，第三代半導體不只被拿來探討高效應用，穩定性也十分重要。 同樣作為JEDEC（固態及半導體工業界的標準化的組織）的JC-70第三代半導體委員會主席，德州儀器創新技術架構師的Stephanie Watt...
除此之外，在第三代半導體應用中，碳化矽{{{MOSFET}}}普遍被用於太陽能、充電、新能源汽車等應用領域。但也因為其材料、結構的特殊性，碳化矽MOSFET的可靠性與壽命也一直是被關注的熱點。而JEDEC最新發布的JEP184指南，就是用於描述基於碳化矽（SiC）功率轉換裝置連續開關模式的新規範。 Butler指出，「其中，碳化矽MOSFET的評估最有挑戰性，也是汽車和工業產業最常被關注的話題。」雖然碳化其擁有快速切換、同時保持高阻斷電壓的優勢，但是這樣的開關特性也存在潛在缺點。進一步理解，因為測量的閾值偏移可能由不同組件構成，可能影響測量的精度。 針對於此，Butler結語，JEDEC最新推出的JEP184指南可為測量程序提供指導方針，用以區分不同的偏移組件，進而提供準確測量碳化矽MOSF...
數位時代. 更新於 2021年08月23日08:51 • 發布於 2021年08月21日16:45 • 中央社. 半導體產業高度分工，連半導體巨擘英特爾（Intel）也擴大與晶圓代工廠台積電合作。. 但新興熱門的第3代半導體發展情況可能不同，產業分析師預期3至5年內仍是IDM廠主導，代工生存空間 ...
2024年4月30日 · 在第三代半導體佈局上，世界旗下主要有GaN on QST及Gan on Si兩大產品線。 其中第一代GaN on QST部分已進入量產，主要應用在電池充電器部分，而效能更為提升的第二代產品則預計第四季進入試產，盼爭取到更多客戶訂單。 至於GaN on Si部分，目前在試產前最後驗證，目標一個月內完成，最快第三季進入量產，預估量能將比GaN on QST更大。 延伸閱讀： 三星Q1營益飆900% 記憶體夯、晶圓代工營收觸底. SK海力士宣布結盟台積 強化HBM4製造、封裝效能. 資料來源- MoneyDJ理財網. 查看原始文章. MoneyDJ新聞 2024-04-30 16:31:42 記者 王怡茹 報導 八吋晶圓代工廠世界先進 (5347)今 (30)日舉行法說會，針...
2021 年，可以說是第三代寬能隙半導體嶄露頭角的一年，已成為半導體先進材料的代表。 到底什麼是「寬能隙」（Wide Band Gap，WBG）？ 它又具有什麼特點？ 為何 5G、電動車、再生能源、工業 4.0 的產業趨勢來臨時會這麼需要它? 本期宜特小學堂，就讓我們帶您深入簡出了解第三代寬能隙半導體。 https://youtu.be/9WjNstS2AeE. 一、為什麼需要用到第三代寬能隙半導體（Wide Band Gap，WBG）？ 由於近年地球暖化與碳排放衍生的環保問題日益嚴重，人類以節能、減碳、愛護地球為共同的首要發展方向，石化能源必須逐步減少並快速導入綠能節電的應用，因此在日常生活用品中也逐步以高能效、低能耗為目標。
