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2020年3月24日 · （1）切割液影响。 切割液的主要成分是聚乙二醇，另外还包括脂肪酸、脂肪酸盐、表面活性剂、消泡剂和水等成分。 性能优良的切割液具有良好的悬浮性、冷却性和易清洗性。 由于砂浆是由碳化硅和切割液混合成的，在切割过程中起切割作用的是碳化硅颗粒，随着钢线的转动，碳化硅颗粒包裹在钢线表面对硅块进行磨削切割，因此切割液须具有良好的悬浮性保证碳化硅颗粒能均匀地分散在钢线表面且不会在砂浆中产生沉淀。 切割过程中，由于碳化硅颗粒和硅块的摩擦作用会产生较多热量，切割液的冷却性能可以降低砂浆温度，防止高温造成硅片灼伤。
2020年7月21日 · RENA工艺流程. 常见问题以及解决方法. 刻蚀目的. 由于在扩散过程中，即使采用背靠背的单面扩散方式，硅片的所有表面（包括边缘）都将不可避免地扩散上磷。 PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路，此短路通道等效于降低并联电阻。 经过刻蚀工序，硅片边缘带有的磷将会被去除干净，避免PN结短路造成并联电阻降低。 去PSG目的. 由于在扩散过程中氧的通入，在硅片表面形成一层SiO2，在高温下POCl3与O2形成的P2O5，部分P原子进入Si取代部分晶格上的Si原子形成n型半导体，部分则留在了SiO2中形成PSG。 磷硅玻璃的存在使得硅片在空气中表面容易受潮，导致电流的降低和功率的衰减。
2012年3月31日 · 1 改良西门子法——闭环式三氯氢硅氢还原法. 改良西门子法是用氯和氢合成氯化氢 (或外购氯化氢)，氯化氢和工业硅粉在一定的温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行CVD反应生产高纯多晶硅。 国内外现有的多晶硅厂绝大部分采用此法生产电子级与太阳能级多晶硅。 2 流化床法——硅烷法——硅烷热分解法. 硅烷 (SiH4)是以四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等方法制取。 然后将制得的硅烷气提纯后在热分解炉生产纯度较高的棒状多晶硅。 以前只有日本小松掌握此技术，由于发生过严重的爆炸事故后，没有继续扩大生产。 但美国Asimi和SGS公司仍采用硅烷气热分解生产纯度较高的电子级多晶硅产品。
2020年6月16日 · 硅片 的化学清洗原理. 硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类：. （来源：微信公众号“ 光伏 技术”）. A. 有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。. B. 颗粒沾污：运用 ...
2020年6月30日 · 随着2020年光伏价格和成本的大幅下降及行业之后的持续降本能力，我们认为光伏发电侧平价有望提前来临。 我们测算2020年全球光伏新增装机容量有望与2019年基本持平，为120GW左右。 2021年随着新冠疫情影响减弱、需求逐步恢复，我们预计全球光伏新增装机容量有望接近150GW，同比增长20-30%。 （2）单晶硅受益“行业增长+占比提升”双重因素，有望大幅增长。 2019年单晶硅片市场份额为65%，我们预计很快将提升至90%以上。 （3）切片机：受益大尺寸硅片迭代需求，公司切片机业务有望迎来新一轮增长。 我们测算2021年光伏切片机需求超过18亿元，接近20亿元。 （1）新增需求：预计在8亿元以上；（2）更换需求：预计超过10亿元. 本报告与市场观点的差别.
2020年5月22日 · 1. 激光开槽原理. 1.1 激光加工原理. 激光又名镭射（Laser）,它的全名是“辐射的受激发射光放大”。 （Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation）。 加工原理为具有较高能量密度的激光束照射在被加工材料表面，材料表面吸收激光能量，温度上升，产生熔融、烧蚀、蒸发，从而达到去除表层的目的。 1.2 激光开槽作用. 激光开槽是利用激光在硅片背面进行打孔或开槽，将部分AL2O3与SiNx薄膜层打穿露出硅基体，背电场通过薄膜上的孔或槽与硅基体实现接触。 1.3激光加工过程. 通过热激发或光激发产生导带电子； 2. 导带电子通过雪崩电离和焦耳加热吸收能量形成等离子体； 3. 等离子体通过电子声子耦合将能量传递给材料品格； 4.
2018年4月16日 · 什么是半片电池技术. 前几年整个行业都是围绕“开源”路线发展，时至今日，“截流”是最有效的技术实施路线，而低内损的高效半片电池组件技术将会在规模化应用中有得天独厚的优势。 它无疑是实现大规模量产和具备高性价比的高效产品，是能同时满足成本和发电量及衰减性能提升的最佳解决方案。 半片电池技术通过将标准规格电池片（156mmx156mm）激光均割成为两片 (156x78mm)，对切后联接起来的技术。 整个组件的电池片随之被分为两组，每组包含串联连接的60个半片电池片。 组成一个完整的120片组件（图1），从而可将通过每根主栅的电流降低为原来的1/2，内部损耗降低为整片电池的1/4，进而提升组件功率。 该技术具有以下特点： 第一，相同效率的半片光伏组件比常规整片组件输出功率有明显的提升。
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