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2022年7月12日 · 近期在技術成熟以及未來產品布局的藍圖考量下， Innergie 決定導入氮化鎵（GaN），配合氮化鎵晶片重整 One For All 電路板結構並進行優化和模組化。. C6 是 Innergie 的第一顆氮化鎵（GaN）充電器，而未來不論是高瓦數的新品或是現有的 One For All 系列的產品，也都會 ...
氮化鎵 （GaN 、Gallium nitride）是 氮 和 鎵 的 化合物，是一種 III族 和 V族 的 直接能隙 （direct bandgap）的 半導體，自1990年起常用在 發光二極體 中。 此化合物結構類似 纖鋅礦，硬度很高。 氮化鎵的能隙很寬，為3.4 電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的雷射二極體，可以在不使用非線性 半導體泵浦固體雷射 （Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產生紫光（405 nm）雷射。 如同其他 III族元素 的 氮化物，氮化鎵對 游離輻射 的敏感性較低，這使得它適合用於 人造衛星 的 太陽能電池 陣列。 軍事的和空間的應用也可能受益，因為氮化鎵設備在輻射環境中顯示出穩定性 [4]。
2022年12月5日 · 氮化鎵靠著高功率密度的特性，製成功率元件後能讓充電器的體積大幅縮小，是普通消費者最能明顯感受氮化鎵帶來好處的產品。 文章整理2023年值得推薦的5款氮化鎵充電器，除了最基本的規格，也在日常使用與外觀部分做了測試，要讓讀者們看到氮化鎵充電器 ...
2023年9月6日 · 現在採用的主流是異質磊晶結構：矽基氮化鎵(GaN-on Si)、碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)為主流。 台廠相關供應鏈：除嘉晶(3016-TW)之外，其餘台廠環球晶(6488-TW)、全新(2455-TW)、富采(3714-TW)、台亞(2340-TW)等，多以碳化矽磊晶為主。
2021年11月19日 · 氮化鎵GaN是氮（N）和鎵（Ga）的化合物，同時被視為高科技領域中重要的第三代半導體材料。 過去普遍使用的的控制晶片材料是矽，但矽本身不耐高電壓，在熱能和電力傳輸方面有限，元件也無法變得更小，與矽相比，氮化鎵GaN可以傳導更高的電壓，在高溫環境下仍然可以保持優異的效能和穩定度，尺寸上也能做得更小，因此隨著近年來氮化鎵 GaN技術逐漸成熟，也開始成為半導體的未來之星。 氮化鎵GaN充電器的興起. 其實氮化鎵在多年以前就已經有相關的研究與應用了，但由於當時氮化鎵的技術還不夠成熟，無法順利應用在半導體產業，一直到近年技術有了大突破，成本才得以降低，氮化鎵也因此快速崛起，開始被廣泛應用在各大領域，如今全球非常多的半導體大廠都已經在陸續開發相關產品。
這款氮化鎵充電器擁有眾多特點，包括GaN氮化鎵技術、快充功能、智能分流輸出等。 產品具有多重安全保護機制和智能晶片等功能，可支援筆記型電腦全速充電，也可充電多種設備。
2022年3月7日 · 隨著第三代半導體氮化鎵(GaN)技術導入充電器市場，未來人們只需要1顆充電器就可以同時替電腦、平板、手機、手錶等各種3C產品充電，此外GaN充電器輕量、體積小、充電快速的特性，讓它迅速成為了市場的新寵。
