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2021年2月26日 · 日前，东南大学电子科学与工程学院孙伟锋教授团队在氮化镓（GaN）功率驱动芯片技术上的最新研究成果成功发表在集成电路设计领域最高级别会议IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC)上。. 该研究成果为：“A 600V GaN Active Gate Driver with Dynamic Feedback Delay ...
4 天前 · 全球半导体观察丨DRAMeXchange是国际性半导体产业调研机构，提供芯片、内存、闪存、DRAM等半导体行业资讯与市场价格行情。 全球芯片竞赛白热化，美欧日韩掀起补贴狂潮 2024-05-24 据彭博社统计，以美国与欧盟为代表的大型经济体已投入数百亿美元，用于研发与量产下一代半导体，这还只是首批到位 ...
2019年5月24日 · 另外，为了在芯片尺寸、连续写入性能、写入功耗方面领先，美光研发128层3D NAND时，将实现从Floating Gate技术向Replacement Gate技术过渡的重大进展，以及对CuA（CMOS under Array）技术的持续利用。
全球半导体观察网一周热点栏目提供半导体产业热点资讯深度报道和解读，涵盖内存、闪存等存储器产业、集成电路产业等领域。 TSS 2024定档6.19；国产“芯”突破；晶圆代工产业动态 2024-05-20 本周晶圆代工领域消息不断：台积电美国工厂发生爆炸、欧洲首座工厂动工时间揭晓；EUV光刻机再次受到 ...
全球半导体观察提供半导体产业最新资讯，包括行业最新新闻、市场趋势以及热点新闻。 全球芯片竞赛白热化，美欧日韩掀起补贴狂潮 2024-05-24 据彭博社统计，以美国与欧盟为代表的大型经济体已投入数百亿美元，用于研发与量产下一代半导体，这还只是首批到位的资金。
2008年10月7日 · 闪存以单晶体管作为二进制信号的存储单元，它的结构与普通的半导体晶体管 (场效应管)非常类似，区别在于闪存的晶体管加入了“浮动栅 (floating gate)”和“控制栅 (Control gate)”—前者用于贮存电子，表面被一层硅氧化物绝缘体所包覆，并通过电容与控制栅相耦合。 当负电子在控制栅的作用下被注入到浮动栅中时，该NAND单晶体管的存储状态就由1变成0。 相对来说，当负电子从浮动栅中移走后，存储状态就由0变成1；而包覆在浮动栅表面的绝缘体的作用就是将内部的电子“困住”，达到保存数据的目的。
全球半导体观察资讯频道提供半导体产业新闻资讯，涵盖存储器、IC设计、制造封测、功率器件、被动元件、汽车电子等领域。 全球芯片竞赛白热化，美欧日韩掀起补贴狂潮 2024-05-24 据彭博社统计，以美国与欧盟为代表的大型经济体已投入数百亿美元，用于研发与量产下一代半导体，这还只是首批 ...
