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2021年6月29日 · 闪存损耗的主要原因之一是执行的 P/E周期数。 在此测试期间，在 SSD 上执行 P/E 循环直到其额定寿命结束，用来检查退化和保留能力。 该测试方法验证我们的质量是否符合数据表上的 TBW 等级。 被测样品在 10%、75%、100%，甚至120% EOL（超出 SSD 额定使用寿命 ）时进行检查。 后期坏块检查。 NAND闪存块在使用过程中可能会磨损，这会使它们不可靠或无法使用。 该测试在SSD生命周期的不同阶段：10%、100%、120% EOL时检查坏块。 ATP的磨损均衡测试过程遵循JEDEC的JESD219标准，适用于企业级应用。 在P/E老化过程中，每次写之后都应该有一次读 (即，W/R = 1)操作，并记录所有错误。 仅在SSD寿命结束时进行读取是不可接受的。
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2021年6月29日 · 首先将测试数据写入SSD，然后在将数据编程写入NAND闪存的时候突然切断电源。 通过在“写入”命令执行阶段突然断电，在4000次电源断电循环后测试结果显示“通过”，即没有任何数据发生读写错误，该测试足以证明了PLP机制的有效性。 图2 突然断电循环测试流程. 下图显示了电源循环测试的示例图，其中SSD的工作条件经过了以下条件的多次循环： 高温-高压； 低温-高压； 高温-低压； 低温-低压； 图3 电源循环测试中的温度、湿度和电压示意图. 上图显示了旨在模拟各种操作条件下的电源循环测试，例如可能影响SSD性能和寿命的极端温度和电压变化。 在上述测试条件下对其SSD进行4000次电源断电循环后，ATP的PLP机制可以有效处理突然断电和电压波动这一极端条件，而不会出现数据的读写错误。
部落格 ATP的官方部落格提供關工業級記憶體和嵌入式儲存技術當前與新興趨勢的普及知識、新聞和意見的資源庫。關於我們 我們透過高效能且耐用的NAND快閃記憶體產品和DRAM記憶體模組，持續改變工業和企業運用的面貌。
2024年3月6日 · DDR5承诺更快的性能，更高的内存带宽，更高的密度，以及一个新的电源管理结构，提供更好的电源效率。. 所有这些优点，以及更多的优点，都有望满足当前和未来的应用上不断增长的内存需求。. DDR4和DDR5双内联内存模块 (DIMMs)仍然有288个引脚，但DDR5的带宽更高 ...
2018年10月25日 · Functional testing. ATE. 损坏的主内存可能会因性能下降或硬件崩溃而中断业务运营，从而导致代价高昂的停机时间。 动态随机存取存储器（DRAM）模块通常具有解决存储器错误的内置机制。 这篇文章回答了有关计算机内存错误的最常见问题，以帮助您确保关键任务系统中安装的DRAM的高实用性和最大的可靠性。 什么是内存错误类型？ 内存错误分为两大类： 软存储错误 是指那些随机破坏存储位并更改存储的数据，但不会对存储模块造成物理损坏的错误。 软存储错误会损坏正在处理的数据，而不是系统硬件，但是在关键任务应用中，例如医疗设备，工业控制器，自动驾驶汽车，安全/监视系统和数据中心，未经纠正的软错误可能会导致灾难性的后果。 有两种类型的软存储错误：
ATP提供罕见的64 GB DDR4 VLP RDIMM. 2023-05-03. 台北，台湾 (2023年5月)-- 专业存储和内存解决方案的全球领导者ATP Electronics推出其64GB DDR4超低外观DIMMS (VLP RDIMMs)，专为嵌入式刀片计算和存储，工业单板计算机，企业网络和物联网 (IoT)系统处理内存密集型工作负载而构建 ...
