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2008年1月10日 · 因此它的结果就是造成了数据流中出现了泡泡(bubble，这里的意思就是数据流被打断)，这是由于组织结构上的冲突。 DDR2引入了附加延迟(dditional latenc)去解决这个问题，它指向当传送自动读取下一个周期命令发生的冲突。
2007年4月17日 · 不论是在集邦、DRAMeXchange网站观看DRAM芯片的交易信息，还是在观察内存颗粒相关信息时，我们常会发现内存颗粒有类似DDR2 512Mb 64Mx8 ETT UTT的字样，前面的信息多半能了解，但所谓的ETT、UTT，究竟意味着什么呢？. 所有内存颗粒在出货给内存条厂商、OEM ...
2007年6月14日 · Memory Mirroring的工作原理与硬盘的热备份类似，内存镜像是将内存数据做两个拷贝，分别放在主内存和镜像内存中。. 为了确保当某个DIMM存储芯片失效的时候，内存保护技术能够自动利用备用的比特位自动找回数据，由于采用通道间交叉镜像的方式，所以 ...
2007年5月27日 · 和内存相关的名词和术语有很多，为了便于大家理解对照特将一些常用的名词汇总介绍。 ROM：只读存储器 Cache：高速缓存
2017年11月28日 · die和wafer的关系. 品质合格的die切割下去后，原来的晶圆就成了下图的样子，就是挑剩下的Downgrade Flash Wafer。 筛选后的wafer. 这些残余的die，其实是品质不合格的晶圆。 被抠走的部分，也就是黑色的部分，是合格的die，会被原厂封装制作为成品NAND颗粒，而不合格的部分，也就是图中留下的部分则当做废品处理掉。 微信. 精彩资讯扫码关注. 新浪. 成为我们的小粉丝. 领英. 成为我们的小粉丝. RSS. 实时更新科技资讯. 上一篇. 什么是封装？ 下一篇. 一片晶圆可以切割出多少的晶片数目？ 相关文章. MLCC是什么？ MLCC简介. 光刻机是什么？ 光刻机简介. IGBT是什么？ IGBT简介. 第三代半导体是什么，第三代半导体简介.
2011年5月9日 · PCRAM的工作原理. PCRAM主要利用可逆相变材料晶态和非晶态的导电性差异实现存储。 与DRAM或flash的使用电子进行数据的记录与抹除不一样，PCRAM使用可逆相变材料作为全新的记忆晶胞架构，通过调整电流的大小与脉冲宽度，改变材料的结晶状态，达成记录或抹除数据的功能。 PCRAM操作方式图. 微信. 精彩资讯扫码关注. 新浪. 成为我们的小粉丝. 领英. 成为我们的小粉丝. RSS. 实时更新科技资讯. 上一篇. 什么是APU? 下一篇. 什么是MCP芯片？ 相变内存是一种非易失性的内存。 PCRAM融合了DRAM内存的高速存取及flash闪存在关闭电源后保留数据的特性，被视为未来内存闪存的替代品。
2007年2月8日 · TSOP与WSOP 差异性在哪里？. 来源： 2007-02-08 00:00:00. 他们是两种不同的IC 封装技术。. 其中，TSOP 是市场上最普遍的封装技术，市场上大概有 90% 的 IC 都是以 TSOP 封装；然而， WSOP 的封装更小更薄，是一种更先进的封装方式。. 经由 WSOP 封装的内存，体积为 ...
