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2018年6月1日 · DRAM和SSD这组分别代表挥发性与非挥发性存储器的好哥们，纵使这几年以来双方不断在进步，但容量储存密度以及存取速度依旧差距不小。. Intel与Micron合作开发出新型态3D XPoint存储器之后，终于利用它的特性为电脑存储器架构加入新的1层Optane DC Persistent ...
2024年1月31日 · DRAM技术从1D到2D，再到如今结构各异的3D，为业界贡献了解决行业痛点的多样式方案，不过如何优化和改善制造成本、耐久性和可靠性等仍是业界努力挑战3D DRAM技术的难题。由于开发新材料的困难和物理限制，3D DRAM的商业化还需要一些时间。
2020年9月23日 · 2017年，中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米材料与器件实验室主任宋志棠博士带领科研团队，在新型相变存储材料研究方面取得了重大突破，创新提出一种高速相变材料的设计思路，即以减小非晶相变薄膜内成核的随机性来实现相变材料的高速晶化。 宋志棠向《中国电子报》记者介绍，目前国际上通用的相变存储材料是“锗锑碲”（Ge-Sb-Te），并且已经有很多芯片制造公司在进行相关研究。 例如，内存芯片制造商SK海力士公司在2018年已开始生产基于相变材料的3D交叉点存储器，用于SCM的3D crosspoint 存储单元，是由基于硫化物的相变材料制成的。 此外，IBM 研究曾表明，通过使用基于相变存储器的模拟芯片，机器学习能力可以加速1000倍。
2021年7月21日 · 半导体制程技术研发愈困难，想精进更先进制程已相当不容易。. 除了制程微缩这条路，要持续提升半导体芯片效能，3D 堆叠技术也为另一种选择。. 外媒《TomsHardware》报导，微电子研究所（Institute of Microeletronics，IME）研究人员表示达成技术突破，透过多 ...
2020年11月18日 · 来源：全球半导体观察 2020-11-18 09:07:46. 11月12日，TrendForce集邦咨询举办了“MTS2021存储产业趋势峰会”，来自产业链企业的近千名嘉宾与会，座无虚席。. 会议围绕存储产业发展趋势，详细解读全球存储产业的宏观变化与细分市场动态，并深度分析驱动 ...
2012年7月5日 · 本网站有权但无此义务，改善或更正在本网站的任何部分之错误或疏失。 2、任何在「DRAMeXchange-全球半导体观察」上出现的信息（包括但不限于公司资料、资讯、研究报告、产品价格等），力求但不保证数据的准确性，均只作为参考，您须对您自主决定的行为负责。
2023年9月4日 · 来源：全球半导体观察整理 2023-09-04 14:16:40. 近日，美光中国台湾地区董事长卢东晖表示，美光有多达65%的DRAM产品在中国台湾生产，继日本厂于去年10月开始量产1β（1-beta）制程技术后，中国台湾现在也开始量产1-beta制程。. 相较上一代的1α（1-alpha）制程 ...
