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2013年12月31日 · 清洗制绒作为太阳电池生产中的第一个工序，该工序主要用于硅片在扩散前的硅片腐蚀处理。目的是为了在硅片上获得表面绒面结构，这种绒面结构对提高晶体硅对光的吸收率有着重要的作用。对于单晶硅来说，采用碱溶液的各向异性腐蚀，可以在其 (100) 面得到理想的绒面结构；而多晶硅由于存在 ...
2020年2月13日 · Jinergy制绒清洗工艺流程见表1。 首先使用SC1对原硅片表面进行清洗，主要去除硅片切割过程中引入的有机杂质、颗粒等污染。 SC1药液，由于H2O2的作用，硅片表面有一层亲水性的自然氧化膜 (SiO2)，硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透，由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的。 在 NH4OH腐蚀硅片表面的同时，H2O2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。 接着使用KOH溶液对硅片进行抛光处理，去除硅片表面切割过程中造成的损伤层。 完全去除损伤层后，可大幅度降低硅片表面的界面态密度，减少硅片衬底的复合损失。 影响抛光效果的主要因素为药液浓度、工艺温度、工艺时间等，可通过工艺参数调控抛光处理效果。
2019年10月8日 · 光伏组件清洗后与清洗前的对比，经济收益显而易见，一方面减少光伏组件故障率，延长使用寿命，另一方面提升光伏组件太阳辐射利用率，将一个20MW的光伏电站数据进行对比，一天时间内，清洗2MW的光伏组件比未清洗2MW的光伏在组件发电量提升在14%
2020年6月16日 · 一. 硅片 的化学清洗原理. 硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类： （来源：微信公众号“ 光伏 技术”） A. 有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。 B. 颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径 ≥ 0.4 μm颗粒，利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μm颗粒。 C. 金属离子沾污：必须采用化学的方法才能清洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两大类： a. 一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。 b. 另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电镀”）到硅片表面。 硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污，一般可按下述办法进行清洗去除沾污。 a.
2024年4月18日 · 华能甘肃公司所属新能源企业2024光伏组件清洗集采中标结果公布4月18日，华能甘肃公司所属新能源企业2024年度光伏组件清洗集中采购中标结果公布，标段1中标企业金昌市瑞正德电气科技有限公司，中标金额1419000元；标段2中标企业甘肃睿荣工
2014年8月13日 · 1、人工、设备成本. 据统计，1人每天可清洗100m2，1MW光伏组件约6600m2，需要66人天。 按每人80元/天估算，1MW组件清洗一次的人工成本为5280元。 按1个月清洗3次估算，1MW每年的人工成本为19万元。 拖布、水桶，此项费用可不考虑。 2、优点. 1）用水量低，1MW每次清洗的用水量约1吨。 2）费用低。 3、缺点. 1）劳动力密集、人员不易管理； 2）人员水平差异导致清洁过程不易控制、清洁效果一致性差； 3）清洗效率低。 4）对组件玻璃有磨损，影响透光率和寿命。 原标题：哪一款清洁方案适合您的光伏电站？ 上一页 1 2 3 4 5 下一页. 投稿与新闻线索：陈女士 微信/手机：13693626116 邮箱：chenchen#bjxmail.com（请将#改成@）
2012年5月8日 · 1. 制绒 深度. 一般在4.2±0.2um（电子天平称重测得） 通过测量制绒前后硅片重量（g），可以计算出制绒深度，根据具体测量情况可以改变工艺参数： 槽体温度. 原则上温度控制在8℃，一般上下浮动1-2℃，调整范围为0.5-1℃，温度升高腐蚀深度增加。 反之，温度可以作为腐蚀速率的调节手段，但是这是最后的手段。 由于温度较高的情况下，溶液在制绒槽时会不稳定，所以一般不宜长时间超过10℃，当前补液能保证刻蚀速率不下降，那么无需调高刻蚀溶液的温度。 滚轮速度. 原则上带速控制在1.0-1.5m/min，调整范围是0.1-0.2m/min，速度越快，制绒深度越小，反之。 自动补液. 调整自动补液的周期以及自动补液量（HF、HNO3），补液周期越短，补液量越大，制绒深度越大，反之。 手动补液.
