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金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；英語： Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，縮寫： MOSFET ），是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效電晶體。
功率MOSFET是專門處理大功率的電壓和電流的金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET），也是 功率半導體 （ 英語 ： power semiconductor device ） 的一種。 和其他功率半導體（例如 絕緣柵雙極電晶體 或 晶閘管 ）比較，功率MOSFET的優點是其切換速度快，在低電壓下的 ...
閘極是由金屬、氧化層和半導體依序疊在一起所形成類似電容的結構(氧化層當做介電質),故命名為金氧半場效電晶體。 閘極只要加上足夠的正電壓,即可在半導體內靠近氧化層的介面上,吸引足夠多的導電電子形成通道,使源極與汲極的n+區導通。 故控制閘極的電壓,等效上就是控制氧化層內的電場,就可以控制源極與汲極之間的導電特性。 基板本體(body) 有時也會接出一隻腳,使MOSFET 變成四隻腳的元件,在大部分的應用中,基板本體會和源極接在一起,使源極、汲極和基板本體間的pn 接面永遠是不導通的,如此MOSFET 就變成和JFET 類似的三隻腳元件。 ( 圖2b)包括三隻接腳與四隻接腳的NMOS 電路符號。 (圖2a) 為一典型的NMOS 的結構示意圖. (圖2b) 三隻接腳與四隻接腳的NMOS電路符號.
金屬氧化物半導體場效電晶體 （簡稱：金氧半場效電晶體；英語：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，縮寫：MOSFET），是一種可以廣泛使用在 模擬電路 與 數字電路 的場效電晶體。. 金屬氧化物半導體 場效應管 依照其 溝道 極性的不同，可分為電子占多數的N ...
金氧半場效電晶體(MOSFETs) Adel S. Sedra· Kenneth C. Smith 著. 在本章中你將學到. MOS. 簡介. 電晶體的物理結構,以及它是如何運作的。 電晶體中兩端的電壓是如何操控第三端的電流,以及描述這些電流– 電壓特性的方程式。 如何分析與設計包含電源的電路。 MOS. 電晶體、電阻以及直流. 簡介. 我們已經學過兩端的半導體元件( 例如: 二極體) 我們現在要將注意力轉移到三端元件. 三端元件遠比雙端元件重要,因為它們有多樣的應用,例如: 訊號放大、數位邏輯、記憶體... 簡介. Q:用最簡單的話來說,我們期望的三端元件操作為何? A:利用其中兩端點間的電壓來控制第三端點的電流. 簡介. Q: 三端元件的兩種主要型態為何?
場效電晶體簡介. 一般場效電晶體(field effect transistor,簡稱 FET)和雙極電晶體一樣都有三隻接腳,不過工作原理卻完全不同。 FET 的控制接腳稱為閘極(gate,簡稱G 極),顧名思義閘極的功用就如同水壩的閘門;而水壩上方的水庫可以提供水,對應到FET 的另一接腳稱做源極(source ,簡稱S 極) ;水壩下方水的出口,對應到FET的第三隻腳稱為汲極(drain,簡稱D 極)。 水流呢?那就對應到電流嘍!不過半導體中的電流可以是電子流或電洞流,利 用電子流來工作的稱為n通道場效電晶體. (n-channel FET),利 用電洞流來工作的稱為p 通道場效電晶體(p-channel FET)。
型金氧半場效電晶體元件之研製，及其驅動電流及負偏壓不穩定效應探討；利用 低壓化學氣相沈積氮化矽覆蓋層之n 型金氧半場效電晶體之製作與分析；由局部
金屬氧化物半導體場效 電晶體 （簡稱： 金氧半場效電晶體 ； 英語： ， 縮寫 ： ），是一種可以廣泛使用在 模拟電路 與 数字電路 的 場效電晶體 。 金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為电子占多数的N通道型與 空穴 占多数的P通道型，通常被稱為N型金氧半場效電晶體（NMOSFET）與P型金氧半場效電晶體（PMOSFET）。 顯微鏡下的金氧半場效電晶體測試用元件。 圖中有兩個閘極的接墊（pads）以及三組源極與汲極的接墊。 以金氧半場效電晶體（MOSFET）的命名來看，事實上會讓人得到錯誤的印象。 因為MOSFET跟英文單字「metal（ 金屬 ）」的第一個字母M，在當下大部分同類的元件裡是不存在的。
鈦會吸收氧化介層的氧原子弱化氧化介層而加強鈷的擴散 速率，因此鈦與氧化介層的反應速率須妥善控制以形成具有足夠厚度 及低阻值的二矽化鈷薄膜。
矽基板上新穎結構的非揮發性記憶體與互補式金氧半場效電晶體的研究. Novel Structures of Nonvolatile Memory and CMOS on Bulk Silicon. 研 究 生:陳宣凱. 指導教授:簡昭欣 教授. 中華民國 九十八 年 九 月. 矽基板上新穎結構的非揮發性記憶體與互補式金氧半場效電晶體的研究. Novel Structures of Nonvolatile Memory and CMOS on. 研 究 生:陳宣凱. 指導教授:簡昭欣. Bulk Silicon. Student:Hsuan-Kai Chen. Advisor:Chao-Hsin Chien . 電子工程學系. 電子研究所碩士班.
