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2024年4月28日 · 近日，江西罡丰公示了其年产40万片第三代半导体衬底外延建设项目（一期）相关内容。该项目计划占地面积83060.76平方米，总投资45亿元，主要建设SiC半导体衬底生产线及配套相关厂房设施等。根据公示，该项目一期工程预计建成后将具备年产40万片第三代半导体衬底外延的生产能力。
2024年4月16日 · 1.光电性能优异，功耗低。 据悉，该产品延续低功耗特点，延长了产品的使用寿命、扩宽了应用场景；同时，该产品采用先进的外延结构，在保证电学性能的同时，进一步提升了芯片的功率和光电转换效率、降低了阈值电流Ith。 此外，在近场光学性能上，与国际VCSEL龙头公司相比，该产品提升了2%的发光均匀性。 2.可靠性表现佳。 在消费级芯片2000H的120℃高温老化寿命实验HTOL中，该芯片在试验结束后，功率稳定保持在±5%变化范围之内；在1500H的85℃/85%RH温湿度偏压实验THB中，该芯片在试验结束后，功率稳定保持在±10%变化范围之内。 据威科赛乐官网介绍，威科赛乐微电子股份有限公司成立于2018年1月，由广东先导集团与重庆万林投资公司共同出资打造。
2024年5月6日 · 最新报告出刊！. 2028年全球SiC功率器件市场规模有望达91.7亿美元. TrendForce集邦咨询最新《2024全球SiC Power Device市场分析报告》显示，尽管纯电动汽车（BEV）销量增速的明显放缓已经开始影响到SiC供应链，但作为未来电力电子技术的重要发展方向，SiC在汽车、可 ...
2018年8月22日 · 据英国《每日电讯报》8月19日报道，赫尔曼·豪泽是剑桥芯片设计领域的开拓者，他曾创立了安谋科技公司的母公司阿科恩公司，并在20世纪90年代策划了安谋公司的剥离，他告诉《每日电讯报》，中国在这个行业“毫无疑问会取代”美国。
8小时前分享. 今日，以“绿色向新，释放新质生产力”为主题的英特尔®至强®6能效核处理器新品发布会在北京举行。 会上，英特尔重磅推出首款.... IC设计 英特尔 英特尔处理器. 制造400层3D NAND，存储大厂将引入低温蚀刻技术. 10小时前分享. 据日本媒体报道，存储器大厂铠侠近日宣布，将从其第10代NAND产品开始，在制程中引入低温蚀刻这一前沿技术，以进一步提升生.... NAND Flash 闪存 铠侠. 存储器. 英伟达黄仁勋反驳三星HBM3e有问题. 10小时前分享. 近日，英伟达 (NVIDIA)执行长黄仁勋在2024年中国台北国际电脑展上对三星HBM因过热问题而未能通过测试的报道进行了反驳.... 三星 英伟达 HBM. 存储器.
2020年5月13日 · 1、公司尚需就本次重组向交易对方发行股份，并向中国证券登记结算有限公司深圳分公司申请办理相关登记手续，同时向深圳证券交易所申请办理新增股份上市的手续； 2、公司尚需根据本次交易相关协议、方案，向交易对方支付现金对价； 3、中国证监会已核准公司非公开发行股份募集配套资金不超过15亿元，公司将在核准文件有效期内择机进行，并就向认购方发行的股份办理新增股份登记和上市手续； 4、公司需就本次发行股份购买资产及募集配套资金而涉及的注册资本、公司章程等变更事宜向市场监督管理部门办理工商变更手续，并通过企业登记系统提交外商投资信息报告； 5、公司将聘请审计机构对标的资产自基准日至交割日期间的损益进行专项审计，并根据专项审计结果执行《购买资产协议》等相关约定中关于期间损益归属的有关约定；
2021年11月23日 · 据温州网报道，11月19日，世界青年科学家峰会创业基金（以下简称“青科基金”）在2021年温州全球精英创新创业大赛总决赛上举行项目投资签约仪式。 签约仪式上，温州芯生代科技有限公司（以下简称“芯生代”）项目、温州星耀激光科技有限公司（以下简称“星耀激光”）项目、纳百川控股有限公司项目三个项目共获得青科基金3200万元的投资。 图片来源：温州网. 报道显示，本次青科基金所投资的项目中，芯生代和星耀激光均属于科技成果转化。 其中，芯生代首席科学家钟蓉博士团队掌握了第三代半导体氮化镓外延片及功率芯片制造的技术，目前国内市场处于应用产品发展初期，尚无成熟的氮化镓外延和功率芯片产品，严重依赖国外进口，国产化意义重大。
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