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搜尋結果
2008年10月7日 · 闪存以单晶体管作为二进制信号的存储单元，它的结构与普通的半导体晶体管 (场效应管)非常类似，区别在于闪存的晶体管加入了“浮动栅 (floating gate)”和“控制栅 (Control gate)”—前者用于贮存电子，表面被一层硅氧化物绝缘体所包覆，并通过电容与控制栅相耦合。 当负电子在控制栅的作用下被注入到浮动栅中时，该NAND单晶体管的存储状态就由1变成0。 相对来说，当负电子从浮动栅中移走后，存储状态就由0变成1；而包覆在浮动栅表面的绝缘体的作用就是将内部的电子“困住”，达到保存数据的目的。
2017年11月28日 · 做法就是判断电晶体是否有电流流通。 当在 Gate 端（绿色的方块）做电压供给，电流就会从 Drain 端到 Source 端，如果没有供给电压，电流就不会流动，这样就可以表示 1 和 0。 （至于为什么要用 0 和 1 作判断，有兴趣的话可以去查布林代数，我们是使用这个方法作成电脑的） 尺寸缩小有其物理限制. 不过，制程并不能无限制的缩小，当我们将电晶体缩小到 20 纳米左右时，就会遇到量子物理中的问题，让电晶体有漏电的现象，抵销缩小 L 时获得的效益。 作为改善方式，就是导入 FinFET（Tri-Gate）这个概念，如右上图。 在 Intel 以前所做的解释中，可以知道藉由导入这个技术，能减少因物理现象所导致的漏电现象。 （Source：www.slideshare.net）
2019年5月24日 · 美光DRAM和NAND Flash最新技术路线图公布. 作为全球知名的存储器厂商，近日，美光召开了2019年投资者大会，在大会中上，美光展示了DRAM和NAND Flash下一代技术的发展以及规划。. 据悉，美光的技术研发和Fab制造工厂遍布全球，其中核心技术研发主要集中在美国的 ...
2022年11月8日 · 来源：SK海力士 原作者：权彦五 2022-11-08 14:38:07. 由于传统微缩 (scaling)技术系统的限制，DRAM的性能被要求不断提高，而HKMG (High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。. SK海力士通过采用该新技术，并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置 ...
2018年5月29日 · 三星电子(Samsung Electronics)计划于2021年量产FinFET晶体管架构的后继产品——采用3纳米(nm)制程节点的环绕式闸极(gate-all-around；GAA)晶体管。 在上周二(5月22日)举行的年度代工技术论坛上，这家韩国巨擘重申将在今年下半年使用极紫外光(EUV)微影开始7nm生产的 ...
2022年7月5日 · Intel7导入自对准四重成像技术（Self-Aligned Quad Patterning，SAQP）和主动元件栅极上接点（Contact Over Active Gate，COAG）技术提升逻辑密度。 自对准四重成像技术能通过单次微影和两次沉积、蚀刻步骤，将晶圆微影图案缩小4倍，且没有多次微影层叠对准的问题。
2019年9月4日 · 格芯的战略是为快速增长市场中的客户提供高度差异化、高附加值的解决方案，而践行这一承诺的实际成果就是我们的22nmFD-SOI(22FDX)嵌入式MRAM非易失性存储器(NVM)技术。多家物联网大客户已经进入这项技术的试验性生产阶段。
