半導體製程 相關
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半導體元件製造 是用於製造 半導體 元件的過程，通常是 積體電路 （IC），如 電腦 處理器 、 微控制器 和 記憶晶片 （如 NAND 快閃記憶體和 DRAM ），這些元件存在於日常電子裝置中。 這是一個多步 微影 和 物理 化學 過程（包括 熱氧化 、 薄膜沉積 、 離子佈植 、 蝕刻 等步驟），在此過程中， 電子電路 逐漸在晶圓上建立，晶圓通常由純單晶半導體材料製成。 矽幾乎總是被使用，但各種 化合物 半導體被用於專業應用。 製造過程在高度專業化的半導體製造 工廠 中執行，也稱為晶圓廠或"fabs"， [1] 其核心部分是"潔淨室"。 在更先進的半導體元件（如現代14/10/7奈米節點）中，製造過程可能需要長達15周的時間，行業平均為11-13周。
半导体器件制造 是用于制造 半导体 器件的过程，通常是 集成电路 （IC），如 计算机 处理器 、 微控制器 和 存储芯片 （如 NAND 闪存和 DRAM ），这些器件存在于日常电子设备中。 这是一个多步 光刻 和 物理 化学 过程（包括 热氧化 、 薄膜沉积 、 离子注入 、 蚀刻 等步骤），在此过程中， 电子电路 逐渐在晶圆上创建，晶圆通常由纯单晶半导体材料制成。 硅几乎总是被使用，但各种 化合物 半导体被用于专业应用。 制造过程在高度专业化的半导体制造 工厂 中执行，也称为晶圆厂或"fabs"， [1] 其核心部分是"洁净室"。 在更先进的半导体器件（如现代14/10/7纳米节点）中，制造过程可能需要长达15周的时间，行业平均为11-13周。
微影製程 （英語：photolithography 或 optical lithography，中國大陸稱為 光刻工藝 ）是 半導體元件製造 製程中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光阻層上刻畫幾何圖形結構，然後通過 蝕刻 製程將光罩上的圖形轉移到所在 基板 上。 這裡所說的基板不僅包含 矽 晶圓 ，還可以是其他金屬層、媒介層，例如 玻璃 、 SOS 中的 藍寶石 。 概述 [ 編輯] 在矽晶片上塗光阻劑的甩膠機. 下面以基板上金屬連接的蝕刻為例講解微影過程。 首先，通過金屬化過程，在矽基板上布置一層僅數 奈米 厚的金屬層。 然後在這層金屬上覆上一層 光阻 。 這層光阻劑在曝光（一般是紫外線波長的 準分子雷射 ）後可以被特定溶液（顯影液）溶解。
芯片製程技術節點是指芯片上的 電子元器件 之特徵，即電子元件所能達到的最小尺寸；而芯片面積相同時電子元件尺寸愈小，芯片就能容納得下愈多的電子元器件 (主要為 晶體管 )，芯片的性能也隨之提升。. 自芯片商業化量產以來的頭三十餘年裡，芯片製程 ...
在 半導體產業 中， 2奈米製程 是在 3奈米製程 水準之後的下一個 半導體製造 製程 。 台積電 和 三星 皆規劃於2025年量產， 英特爾 最早宣布2027年量產，在更改節點命名後20A製程預計2024年量產。 [1] 背景 [ 編輯] 國際裝置與系統發展路線圖（IRDS）在2017年曾預計2.1奈米製程將在2027年量產 [2] 。 2018年底，台積電董事長 劉德音 預測晶片規模將繼續擴大到3nm和2nm水準； [3] 然而，到2019年，其他半導體專家還沒有決定台積電的技術水平是否可以在3nm以外的水準上使用。 [4] 台積電於2019年開始了2nm技術的研究。 [5] 台積電希望在從3nm到2nm時，能實現從 FinFET 到 閘極全環電晶體 （GAAFET）類型的轉變。
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半導體 （德語： Halbleiter, 英語： Semiconductor, 法語： Semi-conducteur ），是一种 电导率 在 绝缘体 至 导体 之间的物质或材料。 半导体在某个温度范围内，随温度升高而增加电荷 载流子 的浓度，使得电导率上升、 电阻率 下降；在绝对零度时，成为绝缘体。 依有无加入 掺杂剂 ，半导体可分为： 本征半导体 、 杂质半导体 （n型半导体、p型半导体）。 电导率 容易受控制的半导体，可作为資訊处理的元件材料。 从科技或是经济发展的角度来看，半导体非常重要。 很多电子产品，如 電腦 、 移动电话 、数字录音机的核心单元都是利用半导体的电导率变化来处理資訊。
5奈米製程 是 半導體製造 製程 的一個水準。. 在 半導體器件製造 中，《國際器件和系統路線圖》將5奈米工藝定義為繼7奈米之後 MOSFET 的又一技術節點。. 商用5奈米製程基於具有 FinFET （鰭式場效應電晶體）的 多閘極電晶體 （MuGFET）技術，還有已得到證明的5 ...
