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聯穎提供的技術範圍從砷化鎵新一代HBT技術、0.15微米 pHEMT技術、氮化鎵高功率元件到SAW 濾波器並跨足光電元件製造。 產品線可廣泛應用於智慧型手機之無線行動通訊、無線區域網路、微波無線大型基地站、全球定位系統、無線微型基地台、有線電視、物聯網 ...
本著持續創新原則，擁有紮實技術的聯穎研發團隊將持續推出最尖端的III-V族技術 ; 聯穎亦將秉持聯電一流的製造能力與務實、效率的管理精神，為客戶創造最大價值。
聯穎光電股份有限公司. 30076 新竹縣 新竹科學工業園區創新一路10號. TEL: +886-3-5781259. FAX: +886-3-6668798. Sales e-mail address: sales@wtkmicro.com.
最新消息,提供的技術範圍從砷化鎵新一代HBT技術、0.15微米 pHEMT技術、氮化鎵高功率元件到SAW 濾波器; 並跨足光電元件製造，包含砷化鎵基底，磷化銦基底之檢光二極體及消費性電子應用之雷射光電元件。.
聯穎自許為推動無線通訊、光電領域及綠能電子產業蓬勃發展的推手，致力打造一個高性能無線通訊的環保綠能世代；不僅專注於發展滿足現在市場的主流無線通訊技術，更全力投入次世代主流的化合物半導體技術的開發。,提供的技術範圍從砷化鎵新一代HBT技術 ...
聯穎光電致力於提供晶圓代工服務及最先端的III-V族化合物半導體製程技術，持續追求與客戶間共同發展的夥伴關係。 以提供客戶多元化、品質完善與不間斷的晶圓代工製造及最先端的砷化鎵電晶體製程技術為本公司營運持續管理之最高宗旨。
晶圓代工服務. 聯穎以完整的晶圓代工資源搭配最先進的製程技術，來滿足無線通訊及功率元件的市場。. 聯穎提供的製程設計套件包含了設計規劃圖、模型手冊和GDSII的參數化文庫，讓客戶立即輕鬆著手設計。. 聯穎的團隊可處理所有的設計規範驗證、光罩結構 ...
頻譜從直流電涵蓋到100 GHz (ft)。 聯穎已推出光電探測器(PD)的光電技術，來解決消費性光電產品、光學通訊、資訊中心以及車用電子上的應用。
聯穎在HBT, pHEMT, BiHEMT VCSEL, SAW濾波器以及高壓CMOS裝置上都提供廣泛的技術。憑藉聯電(UMC)的先進黃光微影技術, 聯穎超越業界率先以深紫外線曝光機定義0.15μm 應變式高電子遷移率電晶體閘極 (pHEMT gate) 此創舉讓未來5G毫米波 單晶體
2021年6月23日 · 最新消息,提供的技術範圍從砷化鎵新一代HBT技術、0.15微米 pHEMT技術、氮化鎵高功率元件到SAW 濾波器; 並跨足光電元件製造，包含砷化鎵基底，磷化銦基底之檢光二極體及消費性電子應用之雷射光電元件。.
