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  1. 2024年4月16日 · 据先导科技集团介绍,威科赛乐本次获得订单的可寻址VCSEL芯片产品,在光电性能及可靠性上取得了重大技术突破:. 1.光电性能优异,功耗低。. 据悉,该产品延续低功耗特点,延长了产品的使用寿命、扩宽了应用场景;同时,该产品采用先进的外延结构,在 ...

  2. 2008年5月6日 · FPM DRAM工作原理. FPM DRAM是FPM DRAM(Fast Page Mode DRAM)的简称。. 也就是快页内存。. 是一种在486时期被普遍应用的内存。. 72线、5V电压、带宽32bit、基本速度60ns以上。. 它的读取周期是从DRAM阵列中某一行的触发开始,然后移至内存地址所指位置,即包含所需要的数据 ...

  3. 2011年5月9日 · PCRAM的概念. 相变内存(PCRAM)的英文是“Phase Change Random Access Memory”,简称“PCM”,是一种非易失性的内存。. 相变内存是新世代内存(闪存)技术,国内外多家厂商都纷纷对此项技术进行开发。. 目前PCRAM技术合作及研究成果的厂商(机构)列表. PCRAM的优点 ...

  4. 2007年4月17日 · ETT、UTT、TCCC等DRAM颗粒解析. 不论是在集邦、DRAMeXchange网站观看DRAM芯片的交易信息,还是在观察内存颗粒相关信息时,我们常会发现内存颗粒有类似DDR2 512Mb 64Mx8 ETT UTT的字样,前面的信息多半能了解,但所谓的ETT、UTT,究竟意味着什么呢?. 所有内存颗粒在出货给 ...

  5. 2011年9月13日 · © 2024 DRAMeXchange, a Business Division of TrendForce Corp. 全球半导体观察 集邦咨询顾问(深圳)有限公司 版权所有 不得转载

  6. 2020年6月9日 · 因此,SC200AI不仅在成像品质上精益求精,更在高温成像性能上实现了优化,拓展产品的场景适用性。. “此次推出的思特威高阶成像系列SC200AI,以最新优化的像素设计及电路架构有效提升成像品质,无论在色彩逼真度还是高温低噪成像两方面均有出色表现,同时 ...

  7. 闪存知识手册. 包括:闪存配送系统、闪存价格的定义、供应链、SLC与MLC制作工艺的区别、Manifold记忆卡的主要规格 (目前提供英文版本) BUY NOW. 全球半导体观察网研究报告栏目主要提供半导体产业研究分析报告,涵盖内存、闪存等存储器产业。.

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