搜尋結果
2024年4月28日 · 近日，江西罡丰公示了其年产40万片第三代半导体衬底外延建设项目（一期）相关内容。该项目计划占地面积83060.76平方米，总投资45亿元，主要建设SiC半导体衬底生产线及配套相关厂房设施等。根据公示，该项目一期工程预计建成后将具备年产40万片第三代半导体衬底外延的生产能力。
2018年2月9日 · 经过长达近一年时间的拉锯战，美国维易科 (Veeco)仪器公司 (以下简称“Veeco”)、中微半导体设备有限公司（以下简称“中微半导体”）和西格里碳素（SGL）（以下简称“SGL”）三方之间的专利诉讼案终于落下帷幕。. 2月9日，Veeco、中微半导体和SGL共同宣布，同意 ...
2024年1月2日 · 近日，天岳先进、天科合达、嘉展力拓、长光华芯、石金科技五家企业刷新SiC碳化硅进度，总计投资金额超10亿元，产能超23万片。. 总投资8.3亿！. 徐州天科合达碳化硅芯片二期扩产项目封顶. 据徐州天科合达官方披露，12月28日，天科合达碳化硅（SiC）芯片二期 ...
2019年9月9日 · 本网站有权但无此义务，改善或更正在本网站的任何部分之错误或疏失。 2、任何在「DRAMeXchange-全球半导体观察」上出现的信息（包括但不限于公司资料、资讯、研究报告、产品价格等），力求但不保证数据的准确性，均只作为参考，您须对您自主决定的行为负责。
2022年4月1日 · 来源：全球半导体观察整理 2022-04-01 10:16:47. 3月31日，壁仞科技官微宣布，公司首款通用GPU芯片BR100系列一次点亮成功。. 在核心性能设计标准上，BR100系列是国内算力最大的通用GPU芯片，直接对标国际厂商近日发布的最新旗舰产品。. 图片来源：壁仞科技 ...
随着采用传统平面半导体技术的NAND Flash即将达到极限，存储器芯片厂商纷纷开始采用3D生产技术，重点从微型化转移至增加密度，以提高产能。. 下面介绍下各个厂商的3D NAND Flash进展情况：三星早在2013年8月，就发布首款3D NAND Flash芯片，名为V-NAND，采用垂直单元 ...
2021年6月3日 · 来源： 2021-06-03 09:03:08. 6月2日，美光宣布量产其首批基于全球首款 176 层 NAND 的 PCIe? 4.0 固态硬盘 (SSD)，并将于本月出货全球首款基于 1α 节点的 LPDDR4x DRAM。.
