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2022年11月29日 · 公開資料顯示，碳化矽具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優良電氣特性，突破矽基半導體材料物理限制，是第三代半導體核心材料。 碳化矽是主要由矽元素和碳元素組合而成的一種化合物半導體材料。 主要用於功率+射頻器件，適用於600V以上的高壓場景，包括光伏、新能源汽車、充電樁、風電、軌道交通等等電力電子領域。 與前兩代半導體材料相比最大的優勢是較寬的禁頻寬度，保證了其可擊穿更高的電場強度，適合製備耐高壓、高頻的功率器件，是電動汽車、5G基站、衛星等新興領域的理想材料。 以新能源汽車為例，電動汽車系統涉及功率半導體應用的組件有電機驅動系統、車載充電系統（On-board charger，OBC）、車載 DC/DC及非車載充電樁。
1 天前 · 不過專家分析，有六大原因顯示，中共集資數千億元扶持半導體產業的成效不大。. 難成功原因一：沒有具足半導體生成環境. 據中共國家企業信用信息公示系統顯示，中國積體電路產業投資基金（簡稱：國家大基金）三期於5月24日正式成立，註冊資本達3440億 ...
2020年9月19日 · 彭博 社引述知情人士的消息：中國高層領導人將於10月開會，制定下一個五年的經濟策略，全力發展第三代半導體產業，提供科研、教育和融資等方面的支持，相關措施已納入《中華人民共和國國民經濟和社會發展第十四個五年規劃綱要》。 第三代半導體是由碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）等材料製造的晶片組，相較第一代半導體材料，具有更高效能與更高功率等優勢，被廣泛用於5G通訊、軍用雷達和電動車。 彭博社報導說：中國每年進口的積體電路價值超過3000億美元，中國的半導體開發商依賴美國製造的晶片設計工具和專利、以及來自美國盟友的關鍵製造技術。 不過，隨著美中關係惡化，中國企業愈來愈難從海外獲得組件和晶片製造技術。 華為 9月15日起無法獲得台積電等公司的晶片，因此增強了中國打造自主替代產品的急迫性。
2021年6月25日 · 美國 彭博 日前傳出消息， 中共國家主席習近平指定副總理劉鶴領導一個工作小組，以研發「第三代半導體」材料與製造技術為目標。 這是一個斧底抽薪之計，完全繞過美國領導的第一代、第二代半導體材料為基礎的現行晶片製程。 打個比方來解釋：假設全世界的水泥都是美國製造的設備所生產出來的，現在美國不准全世界－包括中國大陸境內的水泥廠－使用美國水泥製造設備的工廠賣水泥給中國，也不准美國廠商賣水泥生產設備給中國。 中國在外購不到、自己也生產不出「美國水泥」的壓力下，決定研發出一種「中國水泥」，基於完全不同的化學成分，重新設計製造生產設備。 因為不這麼做，必需使用水泥的所有行業都被掐住脖子了。 彭博的專欄作家根據中國過去幾年砸大錢發產半導體的經驗，不看好中國可能成功。
2 天前 · 有分析表示，第三期基金除延續對半導體設備和材料的支持外，可能將高寬頻記憶體（HBM）等高附加值動態隨機記憶體（DRAM）晶片列為重點投資對象。 大基金已向中國最大的兩家晶片代工廠中芯國際和華虹半導體，以及快閃記憶體製造商長江存儲技術有限公司和一些規模較小的公司和基金提供了 ...
4 天前 · 中國最大的晶片製造商中芯國際則在香港股市上漲5.4%，較小的競爭對手華虹半導體（Hua Hong Semiconductor Ltd)）股價上漲超過6%。 據國家企業信用信息公示系統顯示，中國積體電路產業投資基金第三期於5月24日正式成立，並在北京市市場監督管理局登記
2021年12月17日 · 中國突破契機:第三代半導體 在半導體材料領域中，第一代半導體是「矽」，第二代半導體是「砷化鎵」，第三代半導體則是「碳化矽」和「氮化鎵」，具有較穩定的特性和較佳的能源轉換，一般用於高頻率或高功率的元件或特定領域，但電機專家說 ...
