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  2. Intel看到了這項發明巨大潛力,並於1988年推出第一款商業性的NOR Flash晶片。 NOR Flash需要很長時間進行抹寫,但是它提供完整定址與資料匯流排,並允許隨機存取記憶體上任何區域,這使它非常適合取代老式ROM晶片。

  3. 與用於隨機存取ROM不同,NOR Flash也可以用在儲存裝置上;不過與NAND Flash相比,NOR Flash的寫入速度一般來說會慢很多。NOR Flash最常見用途之一就是BIOS ROM晶片。 NAND Flash

  4. 快閃記憶體(Flash memory)每一個記憶胞都具有一個「控制閘」與「浮動閘」,利用高電場改變浮動閘臨限電壓即可進行編程動作。快閃記憶體主要分為NAND型與NOR型。現在NAND Flash常用於固態硬碟、USB隨身碟、記憶卡等用途,NOR Flash則用於/

  5. 非揮發性記憶體英語: Non-Volatile Memory縮寫NVM或非依電性記憶體是指當電流關掉後所儲存的資料不會消失的資料儲存裝置非揮發性記憶體中依記憶體內的資料是否能在使用系統時隨時改寫為標準可分為三大類產品即ROMFlash memory

  6. 快閃記憶體控制器 或稱 快閃記憶體控制器 、 快閃記憶體主控晶片 (英語: Flash Memory Controller )管理儲存在快閃記憶體中資料,並與電腦或電子裝置進行通訊。 一般快閃記憶體控制器可設計為工作在低占空比環境,如 SD卡 , CF卡 ,或其他類似媒體, 數位相機 ,個人數位助理( PDA ), 行動電話 等使用快閃記憶體控制器與 個人電腦 通過USB低占空比埠溝通。 快閃記憶體控制器也可以設計為高占空比環境,如用於電腦系統作為關鍵資料儲存、清理任務等企業級儲存陣列 固態硬碟 (SSD)上。 [1] 初始設定 [ 編輯] 在快閃記憶體儲存裝置最初被製造出來時候,快閃記憶體控制器首先會格式化快閃記憶體才能投入到工作中。

  7. 電腦記憶體類型 (維基數據所列:Q125005976). 電子抹除式可複寫唯讀記憶體 (英語: Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory ,簡稱: EEPROM 或 E2PROM ),是一種 唯讀記憶體 ( ROM ),可以通過電子方式多次複寫。. 相比 EPROM , EEPROM 不需要用 紫外線 照射,也不 ...

  8. 计算机存储器类型 (維基數據所列:Q125005976). 電子抹除式可複寫唯讀記憶體 (英語: Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory ,简称: EEPROM 或 E2PROM ),是一種 只读存储器 ( ROM ),可以通過電子方式多次複寫。. 相比 EPROM , EEPROM 不需要用 紫外線 ...