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全球半导体观察网一周热点栏目提供半导体产业热点资讯深度报道和解读，涵盖内存、闪存等存储器产业、集成电路产业等领域。 多个半导体项目新进展；DRAM产品恐面临供不应求 2024-05-27 在经历下行周期后，2023年第四季度开始，存储价格开始止跌回暖，且从各大厂商公布的最新营收来看，存储芯片 ...
2021年2月26日 · 日前，东南大学电子科学与工程学院孙伟锋教授团队在氮化镓（GaN）功率驱动芯片技术上的最新研究成果成功发表在集成电路设计领域最高级别会议IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC)上。. 该研究成果为：“A 600V GaN Active Gate Driver with Dynamic ...
2023年11月10日 · 台积电介绍，公司将在2nm制程节点首度使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管，相较于N3E ，该工艺在相同功耗下，速度最快将可增加至15% ；在相同速度下，功耗最多可降低30% ，同时芯片密度增加大于15% 。
2019年5月24日 · 另外，为了在芯片尺寸、连续写入性能、写入功耗方面领先，美光研发128层3D NAND时，将实现从Floating Gate技术向Replacement Gate技术过渡的重大进展，以及对CuA（CMOS under Array）技术的持续利用。
2008年10月7日 · 闪存以单晶体管作为二进制信号的存储单元，它的结构与普通的半导体晶体管 (场效应管)非常类似，区别在于闪存的晶体管加入了“浮动栅 (floating gate)”和“控制栅 (Control gate)”—前者用于贮存电子，表面被一层硅氧化物绝缘体所包覆，并通过电容与控制栅相耦合。 当负电子在控制栅的作用下被注入到浮动栅中时，该NAND单晶体管的存储状态就由1变成0。 相对来说，当负电子从浮动栅中移走后，存储状态就由0变成1；而包覆在浮动栅表面的绝缘体的作用就是将内部的电子“困住”，达到保存数据的目的。
2022年11月11日 · *HKMG（High-K Metal Gate）：在DRAM晶体管内的绝缘膜上采用高K栅电介质，在防止漏电的同时还可改善电容（Capacitance）的新一代工艺。 不仅可以提高内存速度，还可降低功耗。 这款产品可在固态技术协会（JEDEC，Joint Electron Device Engineering Council）规定的超低电压范围（1.01~1.12V）内运行，功耗也比上一代产品减少了25%，从而实现了业界最高能效。 移动端DRAM又称作LPDDR，其中的LP代表“Low Power（低功耗）”。 可见低功耗是最关键的因素。 移动设备的电量有限，为了延长产品的使用时间，就必须尽可能地降低电耗。 这就是内存产品在加快速度的同时，也注重低功耗的原因。
2021年11月11日 · 华虹半导体90nm BCD、90nm&55nm eFlash工艺产品规模量产交付. 11月10日消息，据华虹宏力官方微信消息，华虹半导体有限公司（以下“华虹半导体”）与中微半导体（深圳）股份有限公司（下称“中微半导”）近日举办产品交付仪式，共同庆祝90纳米eFlash MCU、90纳米BCD ...
