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氮化鎵（GaN、Gallium nitride）是氮和鎵的化合物，是一種III族和V族的直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極體中。 此化合物結構類似 纖鋅礦 ，硬度很高。
2022年7月12日 · 氮化鎵（GaN）是一種堅硬且非常穩定的第三代半導體材料，可以在高溫和高電壓下，進行長時間的運作。 另外，以氮化鎵（GaN）製成的晶片特色之一就是閥極切換速度快、效率高，是現在市面充電器常用的元件。 但除了氮化鎵之外，充電器產品內部使用的各種IC、零件和電路設計，之間互相的配合，才能真正造就小體積、高效率的充電器。 氮化鎵 GaN 有哪些特色? 雖然氮化鎵（GaN）元件的特色在於速度快、效率高，但工作頻率高也意味著氮化鎵（GaN）有著高輻射的特性。 由於應用在消費性產品，必須顧及使用者安全，因此在導入消費性產品時，產品印刷電路板布局必須充分減少電源和驅動迴路內的總電感，以達到對元件切換性能的最佳控制，並且需要在產品效率註一與安全規範間取得平衡。 充電器一定要搭配氮化鎵 GaN 技術嗎?
2023年9月6日 · 現在採用的主流是異質磊晶結構：矽基氮化鎵(GaN-on Si)、碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)為主流。 台廠相關供應鏈：除嘉晶(3016-TW)之外，其餘台廠環球晶(6488-TW)、全新(2455-TW)、富采(3714-TW)、台亞(2340-TW)等，多以碳化矽磊晶為主。
什麼是硅上的氮化鎵：理解氮化鎵技術. 氮化鎵 (GaN) 是一種非常硬且機械穩定的二元III/V族直接帶隙半導體。. 由於具有更高的擊穿強度、更快的開關速度、更高的熱導率和更低的導通電阻，基於氮化鎵的功率器件顯著優於基於硅的器件。. 氮化鎵晶體可以在多種 ...
你聽過「氮化鎵」（GaN）嗎？ 這個化合物半導體，相比於你我熟知的矽，更耐高壓、高溫、高電流，適合高頻且輕量化的電子產品市場。 在 5G／6G 行動通訊、無人機、自駕車、雷達等領域，氮化鎵都相當具有潛力，因此成了近十幾年來各界爭相研究的熱門選項 ...
2020年4月28日 · 氮化鎵GaN是氮（N）與鎵（Ga）的化合物，用於半導體產業，為 第三代半導體材料。. 其實氮化鎵GaN的研究早已超過30年，但在近年才開始成為半導體未來之星的原因是 早期受限於製程技術無法大量製造。. 根據法國專業科技產業市調機構 「Yole Développement ...
氮化鎵（GaN、Gallium nitride）是氮和鎵的化合物，是一種III族和V族的直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極體中。 此化合物結構類似 纖鋅礦 ，硬度很高。
