搜尋結果
2023年11月3日 · 碳化矽（Silicon Carbide，簡稱SiC）是一種化學化合物，由矽（silicon，簡稱Si）和碳（carbon，簡稱C）元素組成。 它是一種廣泛應用的非金屬材料，因其一些獨特的物理和化學特性而受到廣泛關注，整理有關碳化矽的一些主要特點以及它在高壓、高功率環境中的應用： ．高耐壓特性： 碳化矽材料具有優異的絕緣性能和高耐壓能力，因此非常適合在高壓環境中使用。...
碳化矽 （英語： silicon carbide，carborundum），化學式SiC，俗稱 金剛砂，寶石名稱 鑽髓，為 矽 與 碳 相鍵結而成的 陶瓷 狀 化合物，碳化矽在大自然以 莫桑石 這種稀有的 礦物 的形式存在。. 自1893年起碳化矽粉末被大量用作磨料。. 將碳化矽粉末燒結可得到堅硬的 ...
2024年6月20日 · 碳化矽（Silicon Carbide, SiC）是一種由碳和矽元素組成的化合物，具有極高的硬度和優異的熱導電性。 碳化矽常被應用於半導體材料中，特別是在高溫、高壓和高頻的電子設備中。
碳化矽（英語： silicon carbide，carborundum ），化學式SiC，俗称金刚砂，宝石名称钻髓，为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化矽在大自然以莫桑石这种稀有的矿物的形式存在。
SiC的寬能隙 (Band Gap) 比現有Si (矽) 的能隙寬度寬3倍以上，可承受10倍以上的電壓，SiC的低損耗、高功率特性適用在高電壓與大電流的應用場域，包含電動車、電動車充電基礎設施、太陽能以及離岸風電等綠能發電設備。
5 天前 · 碳化矽具高效率、高耐壓、高溫穩定性 碳化矽是種寬能隙化合物半導體材料，能在高電壓、高溫的操作環境下保持穩定，尤其適用於高功率轉換器等功率元件。碳化矽的熱導率是傳統矽基材料的2至3倍，散熱能力更佳，更能提升元件性能和可靠性。
碳化矽. 金剛砂又名碳化矽（SiC）是用 石英砂 、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化矽時需要加食鹽）等原料通過 電阻爐 高溫冶煉而成。. 碳化矽在大自然也存在罕見的礦物， 莫桑石。. 碳化矽又稱 碳矽石。. 在當代C、N、B等非氧化物高技術 耐火原料 中 ...
2017年2月23日 · 碳化矽、SiC﹙Silicon Carbide﹚是比較新的半導體材料。. 一開始. SiC的物性和特徴. SiC是由矽﹙Si﹚和碳﹙C﹚所構成的化合物半導體材料。. 結合力非常強，在熱量上、化學上、機械上皆很安定。. SiC存在各種晶型（polytype），其物性値各有不同。. 功率元件方面，以4H ...
2022年4月12日 · 高溫與高崩潰電壓耐受力—碳化矽的絕佳優勢. 功率半導體元件廣泛應用於電力系統、電源供應器、汽車電子、馬達控制、無線射頻 (RF)系統、通訊設備或薄膜電晶體液晶顯示器等方面。 由於矽 (Si)價格低廉且技術成熟，目前絕大多數的功率半導體元件均為Si元件。 然而，因為Si的能隙只有1.12eV，在高功率應用時，有一些基本限制，包括低崩潰電壓、高特徵導通電阻 (R on,sp)、高逆偏漏電流、低工作溫度等，也因為耐壓以及導通電阻的限制，在高功率應用時，必須使用雙載子元件例如PiN二極體 (PND)或是絕緣閘極雙極性電晶體 (IGBT)，以取代單載子元件，如蕭特基位障二極體 (SBD)和金氧半場效應電晶體 (MOSFET)，這也使得功率與速度無法兼顧。
2024年7月12日 · 這家公司基於對非線性光學以及碳化矽（SiC）材料的深入了解，再結合影像處理技術，發展出了世界首創的非破壞碳化矽（SiC）基板晶體缺陷檢測 ...
