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蕭特基能障是什麼?
蕭特基能障與PN接面有何不同?
什麼是蕭特基二極體?
什麼是具備蕭特基能障(Schottky barrier)之定電流半導體元件?
蕭特基能障 （英語： Schottky barrier ），是指具有整流特性的 金屬 - 半導體 界面，就如同 二極體 具有整流特性。 蕭特基能障（障壁）相較於PN接面最大的區別在於具有較低的 接面電壓 ，以及在金屬端具有相當薄的 (幾乎不存在) 空乏層 寬度。 並非所有的金屬-半導體接面都是具有整流特性的，不具有整流特性的金屬-半導體接面則稱為 歐姆接觸 。 整流屬性決定於金屬的 功函 、固有半導體的 能隙 ，以及半導體的 摻雜 類型及 濃度 。 在設計半導體元件時需要對 蕭特基效應 相當熟悉，以確保不會在需要歐姆接觸的地方意外地產生蕭特基能障。 蕭特基能障命名自德國物理學家 華特·蕭特基 （ Walter Hermann Schottky ）。 優點 [ 編輯] 順向偏壓：
一般二極體是利用PN接合的方式，而擁有二極體的特性，但蕭特基二極體卻是利用接合金屬和半導體後，所產生的蕭特基屏障的二極體。 一般而言，相較於採用PN接合的二極體，蕭特基二極體擁有順向電壓 (V F )低、開關快等特性。 但也存在著漏電流 (I R )大，一但散熱設計失常，就會引發熱崩潰的缺點。 大多用在電源部輸出端整流上。 其特性會因為使用的金屬材料而大不相同，羅姆半導體產品使用數種金屬， 低V F 型的RB**1系列產品. 低I R 型的RB**0系列產品. 車規專用的超低I R 型的RB**8系列產品. 擁有堅強產品陣容。 特點. 只要改變金屬材料的種類，就能製造出低V F タイプ、低I R 型的產品。 關於熱崩潰. 蕭特基堅強二極體是利用大順向電流來發熱。
2009年8月30日 · 蕭特基能障（Schottky effect） 國立彰化師範大學光電科技研究所張淑貞研究生/國立彰化師範大學洪連輝教授責任編輯. 大部分p-n接面有用的特性可以簡單的經由形成一個適當的金屬半導體接點而得到，這樣的趨勢深具吸引力。 而當需要高速整流時，金屬-半導體接面特別有用。 另一方面，也必須能對半導體形成非整流 (歐姆)接觸。 在真空中金屬的功函數為 qφ m 一個功函數qφ m 為將一個在費米能階的電子移到金屬外的真空中所需的能量。 對非常乾淨的表面，φ m 為一常數。 當負電荷接近金屬表面，在金屬中會感應正 (影像)電荷。 當影像力和外加電場結合，則有效的功函數會減少。 而這樣的能障就稱為 蕭特基能障 ，且此仍可用於金屬半導體接點產生能障的討論。
蕭特基二極體 （英語： Schottky diode ），又譯 肖特基二極體 ，是一種導通電壓降較低、允許高速切換的 二極體 ，是利用 蕭特基能障 特性而產生的電子元件，其名稱是為了紀念德國物理學家 華特·蕭特基 （Walter H. Schottky）。 蕭特基二極體的 導通電壓 非常低。 一般的二極體在電流流過時，會產生約 0.7-1.7 伏特的電壓降，不過蕭特基二極體的電壓降只有 0.15-0.45 伏特，因此可以提昇系統的效率。 結構 [ 編輯] 蕭特基二極體是利用金屬-半導體接面作為蕭特基勢壘，以產生整流的效果，和一般二極體中由半導體-半導體接面產生的 P-N接面 不同。 蕭特基勢壘的特性使得蕭特基二極體的導通電壓降較低，而且可以提高切換的速度。 逆向恢復時間 [ 編輯]
維基百科，自由的 encyclopedia. 蕭特基能障 （英語： Schottky barrier ），是指具有整流特性的 金屬 - 半導體 界面，就如同 二極體 具有整流特性。 蕭特基能障（障壁）相較於PN接面最大的區別在於具有較低的 接面電壓 ，以及在金屬端具有相當薄的 (幾乎不存在) 空乏層 寬度。 並非所有的金屬-半導體接面都是具有整流特性的，不具有整流特性的金屬-半導體接面則稱為 歐姆接觸 。 整流屬性決定於金屬的 功函 、固有半導體的 能隙 ，以及半導體的 摻雜 類型及 濃度 。 在設計半導體元件時需要對 蕭特基效應 相當熟悉，以確保不會在需要歐姆接觸的地方意外地產生蕭特基能障。
2023年3月14日 · 蕭特基能障（Schottky barrier）是由德國物理學家蕭特基（Walter Hans Schottky）於1914年所提出，金屬與半導體接觸會形成一道能障（Φ b ），這彷彿一道牆阻礙電子在兩者之間的流動，這牆壁的高度是由「金屬的功函數」（Work function, W）及「半導體材料的電子親和力」（Electron affinity, χ）決定，可用 Φ b = W － χ 此式表示，而金屬的功函數指的是「多少能量能使電子離開金屬」，電子親和力則代表「材料獲得電子的難易程度」，越大代表越容易獲得電子，在固態物理中的定義則是「從真空中將一個電子移入至半導體導帶所需要的能量」。 根據蕭特基的理論，若金屬功函數與半導體的電子親和力相差越大，則兩者接觸面的能障越高。
2017年4月27日 · 什麼是SiC蕭特基二極體? —前言— SiC功率元件｜基礎篇. 所謂SiC-SBD－特徵以及與Si二極體的比較. 2017.04.27. 重點. ・SiC-SBD的特徴是除了攡有卓越的高速性之外，亦達到了高耐壓。 ・相較於高耐壓Si-PN二極體，由於反向恢復時間等高速性極佳，因此可以降低損失及小型化。 繼SiC功率元件概要之後，接著說明具體元件。 首先，從SiC蕭特基二極體開始。 SiC蕭特基二極體與Si蕭特基二極體. 從SiC蕭特基二極體（以下簡稱SBD）的構造開始説明。 如下圖所示，讓金屬與半導體SiC接合（蕭特基接面）以便獲得蕭特基障壁（Schottky Barrier）。 構造方面，與Si的蕭特基二極體基本上相同，重點特徴也同樣為高速性。 那麼，SiC-SBD的特徴是什麼呢？
