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NPN 電晶體 在Mouser Electronics有售。Mouser提供NPN 電晶體 的庫存、價格和資料表。
雙極性晶體管由三部分 摻雜程度 不同的半導體製成，晶體管中的 電荷 流動主要是由於載流子在PN結處的 擴散作用 和 漂移運動 。以NPN電晶體為例，按照設計，高摻雜的發射極區域的電子，通過擴散作用運動到基極。
於是，要將Ic=100mA流入此數位電晶體時，因有流過相對應的基極電流值，因此高輸入電壓需定義Vin。
双极性晶体管由三部分 掺杂程度 不同的半导体制成，晶体管中的 电荷 流动主要是由于载流子在PN结处的 扩散作用 和 漂移运动 。以NPN電晶體為例，按照设计，高掺杂的发射极区域的电子，通过扩散作用运动到基极。在基极区域，空穴为多数载流子，而电子少数载流子。由于基极区域很薄，这些 ...
2021年8月27日 · N-P-N電晶體：在這個晶體管中，我們會發現一種 p 型材料存在於兩種 n 型材料之間，N-P-N電晶體基本上用於將弱信號放大為強信號，在 NPN 電晶體中，電子從發射區移動到集電極區，從而在晶體管中形成電流，這種電晶體廣泛用於電路中。
電晶體共有三端點、兩接面,其中三端點分別為射極(emitter ,簡稱E) 、基極(base ,簡稱B) 與集極(collector ,簡稱C), 兩接面分別為基- 射極接面(B-E 接面) 和基- 集極接面(B-C 接面),所以電晶體又稱為三極體或雙接合面電晶體(bipolar junction transistor,簡稱 BJT)。 因組合的半導體材料不同,共分 NPN 與PNP 兩大類,以NPN ...
為了確保在主動區的操作,npn電晶體的集極電壓必須保持高於基極電壓再減大約0.4V 的值,而pnp電晶體的集極電壓必須保持低於基極電壓再加約0.4V 的值。
