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大功率N通道場效應電晶體 場效電晶體（英語： field-effect transistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應控制電流的電子元件。 它依靠電場去控制導電通道形狀，因此能控制半導體材料中某種類型載子的通道的導電性。場效應電晶體有時被稱為「單極性電晶體」，以它的單載子型作用對比雙極性電晶體。
2021年3月20日 · 場效電晶體的功能是「控制電流的開關與大小」，當我們透過訊號施加不同電壓在閘極（gate electrode，中上）時，就可以改變汲極（drain，右）與源極（source，左）之間通道（channel）的狀態，並進而改變電流。 那麼一般科學家是如何讓電晶體越來越小呢？
2 天前 · 數學計算 計算機 Online Basic Calculator Online Scientific Calculator 查看所有工具 X 場效電晶體 首頁 » 場效電晶體 半導體 2024-05-23 - Ellie Gabel 盤點可以改變半導體工程的顛覆性技術 … 訂閱EDN Taiwan電子報 最新文章 最熱門文章 ...
2024年2月22日 · 張曉強表示，CFET（互補式場效電晶體 CFET）是將 nMOS和 pMOS 垂直堆疊，可大幅改善零組件電流，使電晶體密度提升 1.5~2 倍。 這項技術將矽（Si）和鍺（Ge）等不同材料從上下方堆疊，使 p 型和 n 型的場效電晶體更靠近。
場效應電晶體於1925年由Julius Edgar Lilienfeld和於1934年由Oskar Heil分別發明，但是實用的器件一直到1952年才被製造出來（結型場效應電晶體）。 1960年Dawan Kahng發明了金屬氧化物半導體場效應電晶體，從而大部分代替了JFET，對電子行業的發展有着深遠的意義。 ...
第五章 基本放大 §5-1 放大的基本概念 : 1. 增益 = 電壓增益 = 電流增益 = 功率增益 = 分貝 (dB) = 1. ( ) 今有一放大器，其功率增益為30，若輸入電壓為5V，輸出電壓為15V，則其電流增益為 (A) 3 (B) 5 (C) 10 (D) 15 2. ( ) 某一放大器其輸出電壓為15V，電壓增益為5，則其輸入 ...
2023年1月11日 · 台積電與三星仍將決戰鰭式場效電晶體 (FinFET) 環繞閘極場效電晶體 (GAAFET)的製程非常複雜，比鰭式場效電晶體 (FinFET)困難許多，因此國外媒體報導三星 3 奈米 GAAFET製程良率僅 20% 3 ，這個其實並不令人驚訝，但是三星高層指出，三星3奈米製程良率已達「完美水準 ...
