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場效電晶體 （英語： field-effect transistor ，縮寫： FET ）是一種通過電場效應控制電流的電子元件。 它依靠 電場 去控制導電通道形狀，因此能控制 半導體材料 中某種類型 載子 的通道的 導電性 。 場效應電晶體有時被稱為「單極性 電晶體 」，以它的單載子型作用對比 雙極性電晶體 。 由於半導體材料的限制，以及曾經雙極性電晶體比場效應電晶體容易製造，場效應電晶體比雙極性電晶體要晚造出，但場效應電晶體的概念卻比雙極性電晶體早。 [1] 歷史 [ 編輯] 主條目： 電晶體的歷史. 場效應電晶體於1925年由Julius Edgar Lilienfeld和於1934年由Oskar Heil分別發明，但是實用的元件一直到1952年才被製造出來（ 結型場效應電晶體 ）。
MOSFET，簡稱「MOS」，其全稱為 金屬—氧化物—半導體場效電晶體 （MOSFET：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。. 無論在 IC 設計裡，還是電路板應用上，都十分廣泛。. 尤其在大功率半導體領域，各種結構的 MOSFET 更是發揮著不可替代的作用。. 許多電子產品 ...
金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；英語： Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，縮寫： MOSFET ），是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效電晶體。
一般場效電晶體(field effect transistor,簡稱 FET)和雙極電晶體一樣都有三隻接腳,不過工作原理卻完全不同。 FET 的控制接腳稱為閘極(gate,簡稱G 極),顧名思義閘極的功用就如同水壩的閘門;而水壩上方的水庫可以提供水,對應到FET 的另一接腳稱做源極(source ,簡稱S 極) ;水壩下方水的出口,對應到FET的第三隻腳稱為汲極(drain,簡稱D 極)。 水流呢?那就對應到電流嘍!不過半導體中的電流可以是電子流或電洞流,利 用電子流來工作的稱為n通道場效電晶體. (n-channel FET),利 用電洞流來工作的稱為p 通道場效電晶體(p-channel FET)。
大部分常用的FET是金屬氧化物半導體場效電晶體。 互補式金屬氧化物半導體 過程技術是現代 數字 集成電路 的基礎。 這個 過程技術 排列了相連成串的p溝道MOSFET和n溝道MOSFET（通常在提高模式），使得當一個開，另一個則關。
2021年10月4日 · Apple 新推出的手機從第六代（iPhone 6s）開始內的A9應用處理器，就已經開始使用新的「鰭式場效電晶體」（FinFET），代表FinFET開始全面攻佔手機處理器，基本上10 奈米以下的電晶體都必須使用這種新型的結構，到底什麼是「場效電晶體」（FET）？
電晶體主要分為兩大類:雙極性電晶體(Bipolar Junction Transistor,BJT )和場效應電晶體(Field Effect Transistor,FET)。. 場效應電晶體又分為 金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)和接面場效電晶體(junction FET,JFET) 如下( 圖1) ,其中MOSFET依其通道形成方式又可分成增強型( Enhancement-Type ...
2N7002 系列[5]，是一N 通道金屬氧化物半導體場效電晶體 (N-channel Power MOSFET，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。後續 章節，將詳細介紹2N7002 晶片應用電路架構，並揭露參考應用線路與對應使用說明 參考資料。
台積公司於2020年領先業界量產 5奈米鰭式場效電晶體（5nm FinFET, N5）技術，協助客戶實現智慧型手機及高效能運算等產品的創新。. 此一技術是台積公司繼7奈米FinFET強效版（N7+）之後第二代使用極紫外光（EUV）技術的製程。. 台積公司持續推出廣泛的5奈米系列製 ...
2023年1月11日 · 台積電在2022Q4高調宣布量產3奈米「鰭式場效電晶體 (FinFET)」製程，是由原本的「N3」改良為「N3B」製程良率較低的大約60~70%，較高的大約70~80%，表現相當亮眼，而計畫在2023Q2或Q3量產的3奈米 (N3E)製程良率更達80%以上，而且價格更低更有競爭力。. 反觀三星早在 ...
