Yahoo奇摩 網頁搜尋

搜尋結果

  1. 2021年1月11日 · 沒錯,不管5G基地台或是電動車和火箭裡面的IC,都需要這種化合物當作半導體的新材料,究竟這種材料有甚麼魔力一般矽材無法匹敵的呢?以下我們從頭慢慢介紹。蛤什麼三族?什麼五族?

  2. 半導體中的電子所具有的能量被限制在基態與自由電子之間的幾個能帶裏,在能帶內部電子能量處於準連續狀態,而能帶之間則有帶隙相隔開,電子不能處於帶隙內。 當電子在基態時,相當於此電子被束縛在原子核附近;而相反地,如果電子具備了自由電子所需要的能量,那麼就能完全離開此材料。

  3. 半導體中有兩種載流子,即價帶中的空穴和導帶中的電子,以電子導電為主的半導體稱之為N型半導體,與之相對的,以空穴導電為主的半導體稱為P型半導體。 “N”表示負電的意思,取自英文Negative的第一個字母。在這類半導體中,參與導電的 (即導電載體) 主要帶負電的電子,這些電子來自 ...

  4. 2011年1月6日 · 在未掺的情況下,半導體內部電子和電洞的濃度相同的。 表示如下, n=p=ni 其中n表自由電子的濃度,p表自由電洞的濃度,ni則材料未掺的情況下載子的濃度。ni因材料而異,它亦取決於溫度。舉例來說,矽的ni在300K(室溫)時大約1.1x1010 ...

  5. #科普 #教育 #半導體 #108課綱 #生涯探索 你能想像生活在沒有手機的世界嗎?如果沒有半導體,人們就不可能擁有輕巧方便的手機!甚至現代舒適便利 ...

    • 4 分鐘
    • 284.9K
    • TECH CHIP 科技洋芋片
  6. PN結由一個N型摻雜區和一個P型摻雜區緊密接觸所構成的,其接觸界面稱為冶金結界面。. 在一塊完整的矽片上,用不同的摻雜工藝使其一邊形成 N型半導體 ,另一邊形成 P型半導體 ,我們稱兩種半導體的交界面附近的區域為PN結。. 在P型半導體和N型半導體結合 ...

  7. 2023年4月29日 · 由於 p 型半導體其內具有大量的電洞、和 n 型半導體內具有大量的電子有關。 兩者的雜質 (dopant) 開始互相往對方區域擴散,其接面處由於能量平衡會產生一個空乏區,此時具有電場,也稱為內建電位(built-in potential)Vbi。