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2018年10月8日 · 嵌入式系統設計人員在選擇快閃記憶體時必須考慮許多因素：使用哪種類型的Flash架構，是選擇串行接口還是並行接口，是否需要校驗碼（ECC）等。 如果處理器或控制器僅支持一種類型的接口，則會限制選項，因此可以輕鬆選擇內存。 但是，情況往往並非如此。 例如，一些FPGA支持串行NOR快閃記憶體、並行NOR快閃記憶體和NAND快閃記憶體來存儲配置數據，同樣，它們也可以用來存儲用戶數據，這使得選擇正確的存儲器件更加困難。 本文將討論快閃記憶體的不同方面，重點放在NOR快閃記憶體和NAND快閃記憶體的差異方面。 存儲架構. 快閃記憶體將信息存儲在由浮柵電晶體製成的存儲單元中。 這些技術的名稱解釋了存儲器單元的組織方式。
- 基本介紹
- 快閃記憶體技術
- 性能比較
- 詳解
- 接口差別
- 容量成本
- 可靠耐用
- 位交換
- 壞塊處理
是現在市場上兩種主要的非易失快閃記憶體技術之一。Intel於1988年首先開發出NOR Flash 技術，徹底改變了原先由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory電可程式序唯讀存儲器)和EEPROM(電可擦唯讀存儲器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了NAND Flash 結構，強調降低每比特的成本，有更高的性能，並且像磁碟一樣可以通過接口輕鬆升級。NOR Flash 的特點是晶片內執行（XIP ，eXecute In Place），這樣應用程式可以直接在Flash快閃記憶體內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中。NOR 的傳...
flash快閃記憶體是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。NAND器件執行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0。
由於擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進行的，執行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進行的，執行相同的操作最多只需要4ms。
執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了NOR和NAND之間的性能差距，統計表明，對於給定的一套寫入操作(尤其是更新小檔案時)，更多的擦除操作必須在基於NOR的單元中進行。這樣，當選擇存儲解決方案時，設計師必須權衡以下的各項因素。
l 、NOR的讀速度比NAND稍快一些。
2、 NAND的寫入速度比NOR快很多。
3 、NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。
NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失快閃記憶體技術。Intel於1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，並且象磁碟一樣可以通過接口輕鬆升級。但是經過了十多年之後，仍然有相當多的硬體工程師分不清NOR和NAND快閃記憶體。
像“flash存儲器”經常可以與相“NOR存儲器”互換使用。許多業內人士也搞不清楚NAND快閃記憶體技術相對於NOR技術的優越之處，因為大多數情況下快閃記憶體只是用來存儲少量的代碼，這時NOR快閃記憶體更適合一些。而NAND則是高數據存儲密度的理想解決方案。
NOR的特點是晶片內執行(XIP, eXecute In Place)，這樣應用程式可以直接在flash快閃記憶體內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中。NOR的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。
NAND結構能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，並且寫入和擦除的速度也很快。套用NAND的困難在於flash的管理需要特殊的系統接口。
NOR flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來定址，可以很容易地存取其內部的每一個位元組。
NAND器件使用複雜的I/O口來串列地存取數據，各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數據信息。
NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由於生產過程更為簡單，NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也就相應地降低了價格。
NOR flash占據了容量為1～16MB快閃記憶體市場的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的產品當中，這也說明NOR主要套用在代碼存儲介質中，NAND適合於數據存儲，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC(多媒體存儲卡Multi Media Card)存儲卡市場上所占份額最大。
採用flash介質時一個需要重點考慮的問題是可靠性。對於需要擴展MTBF(平均故障間隔時間Mean Time Between Failures)的系統來說，Flash是非常合適的存儲方案。可以從壽命(耐用性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較NOR和NAND的可靠性。
壽命(耐用性)
所有flash器件都受位交換現象的困擾。在某些情況下(很少見，NAND發生的次數要比NOR多)，一個比特位會發生反轉或被報告反轉了。
一位的變化可能不很明顯，但是如果發生在一個關鍵檔案上，這個小小的故障可能導致系統停機。如果只是報告有問題，多讀幾次就可能解決了。
當然，如果這個位真的改變了，就必須採用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)算法。位反轉的問題更多見於NAND快閃記憶體，NAND的供應商建議使用NAND快閃記憶體的時候，同時使用EDC/ECC算法。
這個問題對於用NAND存儲多媒體信息時倒不是致命的。當然，如果用本地存儲設備來存儲作業系統、配置檔案或其他敏感信息時，必須使用EDC/ECC系統以確保可靠性。
NAND器件中的壞塊是隨機分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力，但發現成品率太低，代價太高，根本不划算。
NAND器件需要對介質進行初始化掃描以發現壞塊，並將壞塊標記為不可用。在已製成的器件中，如果通過可靠的方法不能進行這項處理，將導致高故障率。
2024年2月13日 · ．NOR flash則剛好相反，它可以長時間讀寫並保存資料不容易產生壞點，但單位生產成本較高，容納量也較低。 總的來說，這兩個產品沒有誰優誰劣，純粹看產品的需求決定要使用哪種快閃記憶體。 NAND flash 產業鏈. 以NAND flash產業鏈來說可以區分成上中下游。 ．上游部份主要是記憶體設計，主要負責設計記憶體半導體晶片與記憶體晶粒的廠商....
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2012年10月9日 · 介面差別. NOR flash帶有SRAM介面，有足夠的位址引腳來定址，可以很容易地存取其內部的每一個位元組。 NAND器件使用複雜的I/O口來串列地存取資料，各個產品或廠商的方法可能各不相同。 8個引腳用來傳送控制、位址和資料資訊。 NAND讀和寫操作採用512位元組的塊，這一點有點像硬碟管理此類操作，很自然地，基於NAND的記憶體就可以取代硬碟或其他塊設備。 容量和成本.
由於使用的NOR型 閃存 存儲密度低於較新的NAND閘 閃存 ，CF卡的體積是90年代初期出現的三種記憶卡中最大的（另兩種是 Miniature Card —MiniCard和 SmartMedia 卡）。 在之後，CF卡也改用NAND型閃存。 另外，IBM的微型硬碟使用CF Type II型介面，但並不是 固態硬碟 。 日立 和 希捷 也有製造微型硬碟。 CompactFlash的電氣特性與 PCMCIA -ATA介面一致，但外形尺寸較小。 連接器寬度43mm，深度36mm，厚度分3.3mm（CF Type I型卡）和5mm（CF Type II型卡）兩種。 Type I型卡可以用於Type II型卡插槽，但Type II型卡由於厚度的關係無法插入Type I型卡的插槽中。
NAND Flash闪存与NOR Flash闪存的区别在于 ：在NOR Flas闪存中，每个存储器单元的一端连接到源极线，另一端直接连接到类似于NOR Flash门的位线；而在NAND Flash闪存中，几个存储器单元（通常是8个单元）串联连接，类似于NAND Flash门。 二、下游市场需求. NOR Flash 的非易失性、超高读取速度、可片上执行、写入速度慢以及价格昂贵等独特的特性决定了它不适合做大容量存储；自NAND Flash发明以来，NOR Flash市场空间不断受到挤压，冗余需求被不断挤出，当前 系统的代码存储和预设信息存储媒介 成为NOR的下游刚需，NOR Flash的存在也成为了一种必然。
NOR Flash可以承受一萬到一百萬次抹寫循環，它同時也是早期的可移除式快閃儲存媒體的基礎。CompactFlash本來便是以NOR Flash為基礎的，雖然它之後跳槽到成本較低的NAND Flash。 舛岡富士雄沒有停止追求，在1986年發明了NAND Flash，大大降低了
