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  1. 美光的首款 HBM3E 产品是一个 8-Hi 24 GB 堆栈,具有 1024 位接口、9.2 GT/s 数据传输速率和 1.2 TB/s 的总带宽。 英伟达用于人工智能和高性能计算的H200加速器将使用6个这样的立方体,提供总计141...

  2. 美光HBM3E目前正处于英伟达计算产品的资格认证阶段,这将推动HBM3E驱动的人工智能解决方案的发展。 美光的24 GB HBM3E模块基于8个堆叠的24Gbit内存模块,采用公司的1β(1-beta)制造工艺。 这些模块的日期速率高达 9.2 GT/秒,使每个堆栈的峰值带宽达到 1.2 TB/秒,比目前最快的 HBM3 模块提高了 44%。 同时,该公司不会止步于基于 8-Hi 24...

  3. 美光拥有业界领先的HBM3E和HBM4产品路线图,以及为AI应用打造的DRAM和NAND全套解决方案,为助力人工智能未来的大幅增长做足了准备。 美光利用其1β(1-beta)技术、先进的硅通孔(TSV)和其他实现差异化封装解决方案的创新技术开发出业界领先的HBM3E设计。 美光作为2.5D/3D堆叠和先进封装技术领域长久以来的存储领导厂商,有幸成为台积电...

  4. 爱达荷州博伊西 - 投资250亿美元建造一座大型晶圆厂,洁净室约600,000平方英尺,专注于生产领先的DRAM芯片。. 这与美光的研发设施位于同一地点,以 ...

  5. 人工智能工作负载在很大程度上依赖于内存带宽和容量,美光通过我们业界领先的 HBM3E 和 HBM4 路线图,以及我们面向人工智能应用的全套 DRAM 和 NAND 解决方案组合,在支持未来人工智能的大幅增长方面处于非常有利的位置。 HBM3-Gen2-Press-Deck_7_25_2023_000005-678_678x452.jpg© 由 cnBeta.COM 提供.

  6. 2024年6月6日 · 6月5日,内存芯片大厂美光科技在 Computex 2024展会上宣布推出业界最高位元密度的新一代GDDR7内存已经正式送样,主要面向人工智能(AI)和游戏市场。 据介绍,该GDDR7内存采用美光1β (1-beta) DRAM技术和全新架构,最高传输速率32 Gb/s,同时其整个系统速率提升至1.5 TB/s以上,相比美光前一代的GDDR6高出了60%。 该G...

  7. 美光带来了 HPM(高性能模式),这是一项专有功能,可优化智能手机高强度使用时的性能,启用 HPM 后,速度可提高 25%。 美光现在出货的新 UFS 4.0 存储样品有三种规格:分别是256 GB、512 GB 和 1 TB。 gsmarena_001.jpg© 由 cnBeta.COM 提供. gsmarena_002.jpg© 由 cnBeta.COM 提供. 美光公司在 MWC...

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