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數位時代. 根據《彭博社》透露，若中國入侵台灣，荷蘭的ASML和台積電（TSMC）有能力遠端關閉全球最先進的晶片製造設備EUV（Extreme Ultraviolet），這將有效地防止關鍵技術落入中國手中。. 美國政府私下向荷蘭和台灣的官員表達了對此情況的擔憂，並尋求保證 ...
總結來說，孔徑數 0.55 的 EUV 是現在半導體先進製程的主要做系統，其也在進行可靠度與工作產能的提升。至於孔徑數 0.55 的 High-NA EUV ，ASML 目前正在研發中，預計 2025 年開始量產，其具有更高的辨識率，幫助半導體先進製程簡化程序來降低
ASML每套EUV設備價格約1.8億美元，High-NA EUV設備報價高達3.8億美元，較EUV高出1倍以上，約新台幣122億元。 楊瑞臨表示，半導體先進封裝重要性日益提高，將扮演關鍵配套角色，英特爾爭搶High-NA EUV設備，是「選錯戰場、武器」，因為High-NA EUV設備不是未來左右輸贏 ...
ASML 是第一間宣布使用 High-NA EUV 系統並成功圖案化的公司，對半導體產業是個重要里程碑。根據該公司貼文和照片，High-NA EUV 系統已成功列印出第一條 10 奈米密集線（dense lines），而該公司 ASML 官網提到，該設備的理論極限是 8 奈米。
然而第二代 EUV 曝光機研發階段遭遇瓶頸，原本預計最快 2023 年問世，傳出可能延後到 2025~2026 年，延後近 3 年，市場人士擔心將影響半導體製程研發。. 不過雖遭遇研發瓶頸，卻有神隊友救援。. 外電報導指出，日本最大半導體鍍膜極蝕刻設備公司東京電子 ...
根據南韓媒體《Etnews》報導指出，目前全球 3 大 DRAM 記憶體中尚未明確表示採用 EUV 極紫外光曝光機的美商美光（Micron），因日前徵才網站開始徵求 EUV 工程師，揭露美光也在進行 EUV 運用於 DRAM 先進製程，準備與南韓三星、SK 海力士競爭。. 報導指出，美光徵才 ...
2024年4月25日 · 台積電業務開發資深副總裁張曉強(Kevin Zhang)24日並對記者表示，A16製程不需用到ASML的新型High-NA EUV(高數值孔徑極紫外光)微影設備。 相較之下，英特爾上週才剛揭露，打算成為第一個使用High-NA EUV微影設備的企業，以此研發14A晶片。
