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2021年4月6日 · 工研院產科國際所研究總監鄭華琦指出，第 2、3 代半導體材料為化合物半導體，重要特性為寬能隙（Wide band gap），比傳統半導體材料矽要寬很多，因此有耐高電壓、高電流的特性，可因應電動車、綠能、5G 基站、雷達及快充等終端應用趨勢。
第三代半導體，不同於第一代半導體材料（矽 Si、鍺 Ge）與第二代半導體材料（砷化鎵 GsAs、磷化銦 InP），第三代半導體的主要材料則為碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）兩種，由於產品特性的不同，各代半導體也分別有不同領域的應用。
2021年4月26日 · 工研院產科國際所研究總監鄭華琦指出，第二、三代半導體材料為化合物半導體，重要特性為寬能隙（Wide band gap），比傳統半導體材料矽要寬很多，因此有耐高電壓、高電流的特性，可因應電動車、綠能、5G 基站、雷達及快充等終端應用趨勢。 應用範圍廣泛，進入門檻不低. 根據工研院產科國際所統計，目前第一代半導體材料的市占率約九成，第二、三代合計約 10%。 化合物功率半導體（即第二、三代半導體）2020 年市場規模約 298 億美元，但 2025 年成長到 361.7 億美元，2030 年更可上看 435 億美元，成長潛力大。
碳化矽概念股是一種將「第三代半導體材料 – 碳化矽」的產品開發、設備製造、技術服務及業務銷售有相關的所有公司股票，一併列入相同選股概念的股票集合名詞。
2021年3月30日 · 3月1日，野村證券發表題為「A GaN Changer」的產業報告，認為未來2~3年，第3代半導體將重塑全球消費性電源市場，取代用矽製作的IGBT電源管理晶片。 野村證券報告預估，2023年，這個市場產值每年將以6成以上速度成長。
2023年3月15日 · 華冠投顧分析師劉烱德表示，第三類半導體碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）的特性是在高功率及耐高溫耐高壓，剛好就是全球發展電動車、充電樁、低軌衛星、5G 通訊、ESG 企業永續經營、綠能及儲能，所必須用到的新材料。 劉烱德指出，台廠在第三類半導體
2021年8月26日 · 第三代半導體產品包括GaN及SiC，GaN目前滲透率仍低，短中期以SiC較具想像空間。 由於使用SiC，將能降低電動車整體的系統成本，Tesla採用意法半導體的SiC MOSFET就是最佳的案例，將帶動或應該說迫使其他電動車廠使用SiC的意願，CREE正持續大舉跨
