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  2. 極紫外光微影(英語:extreme ultraviolet lithography,中國大陸稱為極紫外光刻,簡稱「EUV」或「EUVL」)又稱作超紫外線平版印刷術, 是一種使用極紫外光波長的微影技術,目前用於7奈米以下的先進製程,於2020年得到廣泛應用 [1] [2] [3] [4] 。

    • 看!就是那道光
    • 原來都是「繞射」惹的禍
    • 困難重重、機會無窮

    EUV,全名為Extreme Ultraviolet,中文叫做「極紫外光」,是一種波長極短的紫外光,一般生活中要塗乳液防曬的紫外線波長約在100~400奈米,而極紫外光才13.5 奈米而已,可說是頻率更高、能量更強的光,不過因為這個波段的光很容易被空氣等介質吸收,反而不如紫外光對人體有那麼多影響哦! 在上一篇《打造IC裡的樂高世界 — 微影製程》裡我們提到微影製程(Lithography) 就是用光在晶圓上面刻出我們想要的圖案,而因為電晶體的尺寸不斷在微縮,到了近幾年10奈米以下的製程,就需要使用EUV來當作光的來源。但是,為什麼要是EUV?為什麼不能用其他的可見光?那蠟筆小新的動感光波可以嗎?

    是的以上那些光都不行,只有波長夠短的EUV才行,但這是為什麼呢?這就要聊聊光的基本特性-繞射。繞射是指「當波在行進過程中遇到障礙物或是孔洞時,不再直線前進,而是像漣漪擴散到四周的現象」,例如平常你站在街角還是可以聽到另外一頭人講話的聲音,就是因為原本只會直線前進的聲波,遇到轉角或縫隙後產生繞射,讓聲波「轉彎」了,才能進入你的耳朵讓你聽見。 光本身也是一種波,那為什麼日常生活中我們幾乎沒看過轉彎的光呢?那是因為光的波長相對於聲波來說是非常小的,聲波的波長約在幾十公分左右,但可見光的波長只有300到800 奈米,因此原本那些孔洞都顯得不那麼小了,而是像康莊大道一樣,讓光可以直接穿透過去。若要說哪裡觀察得到光的繞射,大概就是以前國高中物理課的「單狹縫實驗」和「雙狹縫實驗」,讓光穿過很小的縫隙,進而...

    顯而易見的,EUV 已成為未來10奈米以下先進製程的解答之一,然而,EUV 技術仍有許多困難點需要突破,除了EUV 容易被空氣吸收因此機器必須維持在高真空狀態外,由於EUV需要透過多個反射鏡來收集和提高功率,反射鏡必須非常光滑,否則會讓好不容易產生的EUV又消散掉。此外,進行多次反射也非常耗能,能源轉換效率只有2%不到,這又讓剛加入全球再生能源倡議組織(RE100)的台積電面臨更嚴峻的考驗,因此,全世界都在看台積電如何完善 EUV 技術,引領全球半導體業持續維持摩爾定律的神話。

  3. 极紫外光刻(英语:extreme ultraviolet lithography,台湾称为极紫外光微影,简称“EUV”或“EUVL”)又稱作超紫外線平版印刷術, 是一种使用極紫外光波長的光刻技術,目前用于7納米以下的先進製程,于2020年得到廣泛應用 [1] [2] [3] [4] 。

  4. 2020年4月22日 · 什麼是極紫外光(EUV)微影技術?. 關心台積電為何能連續多年業績創高,此關鍵技術絕對不能忽視,半導體設備巨頭ASML用視覺影像讓你知道EUV怎麼運作的。. #台積電. 採訪中心. 台積電連續10年營收創高,率先全球採用極紫外光(EUV)微影技術推動7奈米技術 ...

  5. 2021年2月15日 · EUV 微影技術採用錫的電漿來產生波長為 13.5 奈米的光源,以及用鉬矽多層反射薄膜來把光傳遞到晶片上。 不同於一般的紫外光微影技術,EUV 微影技術得在低真空中運作,技術難度更高。 EUV 微影技術以實驗室形式的研發(日本,美國,歐洲,包括 ASML 和 Cymer)已經走過了二十多年卻仍達不到量產的技術要求,但也沒有被放棄。 理由只有一個:因為沒有 showstopper(明顯的重大問題)。 當時業界普遍認為如果 EUV 能用於量產就可以讓摩爾定律延續生命。 這是個巨大的誘惑。 台積電是全球最大的半導體代工廠,在先進製程獨占鰲頭,其開發所有新技術的目的只有一個:最終用於量產。 而開發用於量產的 EUV 微影技術就落到了我的肩上。

  6. 半導體製程的原理是「差異蝕刻」:半導體基板上被光照射的區域會發生化學變化,使其化學成分或是硬度和其他部分不同。 在蝕刻的過程,硬度低的區域將消失,硬度高的區域將留下。

  7. 極紫外輻射 (英語: Extreme ultraviolet radiation )又稱 極紫外光 或 高能紫外線輻射 ,簡稱 EUV 、 XUV ,是 波長 在124 nm 到10nm之間的 電磁輻射 ,對應 光子 能量為10 eV 到124eV。 自然界中, 日冕 會產生EUV。 人工EUV可由 電漿 源和 同步輻射 源得到。 主要用途包括 光電子譜 、對日EUV成像望遠鏡及 光微影技術 等。 EUV是最易被空氣吸收的譜段,因此其傳輸環境需高度真空。 EUV的產生 [ 編輯] 中性原子或固體無法發射EUV。 產生EUV,首先要發生 電離 。 只有被帶多個正電荷的 離子 束縛的 電子 才能夠發射EUV。 例如,把+3碳離子繼續剝除一個電子的過程需要65eV,其中的電子比普通價電子更受束縛。

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