搜尋結果
2020年4月22日 · 什麼是極紫外光（EUV）微影技術？關心台積電為何能連續多年業績創高，此關鍵技術絕對不能忽視，半導體設備巨頭ASML用視覺影像讓你知道EUV怎麼運作的。
2021年2月15日 · EUV 微影技術採用錫的電漿來產生波長為 13.5 奈米的光源，以及用鉬矽多層反射薄膜來把光傳遞到晶片上。不同於一般的紫外光微影技術，EUV 微影技術得在低真空中運作，技術難度更高。
極紫外光微影（英語：extreme ultraviolet lithography，中國大陸稱為極紫外光刻，簡稱「EUV」或「EUVL」）又稱作超紫外線平版印刷術, 是一種使用極紫外光波長的微影技術，目前用於7奈米以下的先進製程，於2020年得到廣泛應用 [1] [2] [3] [4] 。
2020年12月4日 · EUV，全名為Extreme Ultraviolet，中文叫做「極紫外光」，是一種波長極短的紫外光，一般生活中要塗乳液防曬的紫外線波長約在100~400奈米，而極紫外光才13.5 奈米而已，可說是頻率更高、能量更強的光，不過因為這個波段的光很容易被空氣等介質吸收，反而不如紫外光對人體有那麼多影響哦！ 在上一篇 《打造IC裡的樂高世界 — 微影製程》 裡我們提到微影製程...
我們也正在發展具備更高數值孔徑 (0.55) 的下一代High-NA EUV平台，擁有新穎的光學設計和速度更快的載台，可使幾何式晶片微縮(Geometric Chip Scaling) 大幅躍進，其所提供的分辨率和微影疊對 (Overlay) 能力優於現有EUV平台達70%。
极紫外光刻（英语：extreme ultraviolet lithography，台湾称为极紫外光微影，简称“EUV”或“EUVL”）又稱作超紫外線平版印刷術, 是一种使用極紫外光波長的光刻技術，目前用于7納米以下的先進製程，于2020年得到廣泛應用 [1] [2] [3] [4] 。
2024年5月23日 · ASML 最新 0.33NA EUV 微影曝光機 NXE:3800E 就導入為 High NA 微影曝光機開發的快速載物移動系統。 ASML 還計劃 DUV 和 EUV 微影曝光系統晶圓工作量，從每小時 200~300 片增加到 400~500 片，提升單套微影曝光機生產效率，也降低生產成本。 Martin van den Brink 從人工智慧發展趨勢看，消費者對多種應用有強烈需求。 限制需求因素包括能耗、計算能力和大數據。 最佳化半導體生產的關鍵微影曝光機，就能改善限制因素。 (首圖來源：英特爾) 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews. 科技新知，時時更新. 科技新報粉絲團 加入好友 訂閱免費電子報. 關鍵字: AI , ASML , EUV , 半導體設備.
