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2023年11月9日 · 第三類半導體主要材料為碳化矽 （SiC）與 氮化鎵 （GaN）兩種，如果以市場來應用來看，又可分為高頻通訊元件及功率元件兩大類。 資策會MIC於第36屆MIC FORUM...
2021年9月22日 · 第三代半導體是目前高科技領域最熱門的話題，在 5G、電動車、再生能源、工業 4.0 發展中扮演不可或缺的角色，即使常聽到這些消息，相信許多人對它仍一知半解，好比第三代半導體到底是什麼？ 為何台積電、鴻海積極布局？ 台灣為什麼必須跟上這一波商機？ 對此，本系列專題將用最淺顯易懂、最全方位的角度，帶你了解這個...
2023年9月6日 · 第三代半導體過去因特斯拉率先使用碳化矽在電動車上，引發需求與話題；2023/3特斯拉又宣布要大減75%碳化矽用量，讓氮化鎵躍上檯面。 優分析之前 文章 已提過氮化鎵未來在電動車應用年複合成長率近100%，現在我們也要為大家持續追蹤市場訊息。 美國氮化鎵大廠EPC (宜普電源轉換)表示， 氮化鎵未來將會取代電壓650伏特以下MOFEST市場。 而MOSFET全球市場規模2022-2023年約已達百億美元，也就是說， 氮化鎵未來能取代的中低壓市場價值也有高達數十億美元。 接下來我們來了解： 1. 什麼是MOFEST與氮化鎵？ 2. EPC (宜普)是誰？ 說話有份量嗎？ 3. 全球氮化鎵大廠市占情況，台廠與大廠的合作. 快速理解功率半導體與相關名詞.
2021年6月17日 · 財訊. 第3代半導體是目前高科技領域最熱門的話題，不只中國想要這個技術，從歐洲、美國到台灣，所有人都在快速結盟，想在這個機會裡分一杯羹。 為什麼第三代半導體這麼火熱？ 它的應用與商機在哪裡？ 過去30年，台積電、聯電擅長製造的邏輯IC，基本上都是以矽做為材料。 但矽也有一些弱點，如果用門做比喻，用矽做的半導體，就像是用木頭做的木門，輕輕一拉就能打開（從絕緣變成導電）。 用第2代或第3代化合物半導體就像是鐵門，甚至金庫的大門，需要很大的力氣，要施加大的電壓，才能讓半導體材料打開大門，讓電子通過。 因此，要處理高電壓、高頻訊號，或是在訊號的轉換速度上，第3代半導體都優於傳統的矽。 目前，坊間所稱的第2代半導體，指的是砷化鎵、磷化銦這兩種半導體材料，「這是1980年代發展出來的技術。
2021年5月11日 · 2021 年，可以說是第三代寬能隙半導體嶄露頭角的一年，已成為半導體先進材料的代表。 到底什麼是「寬能隙」（Wide Band Gap，WBG）？ 它又具有什麼特點？ 為何 5G、電動車、再生能源、工業 4.0 的產業趨勢來臨時會這麼需要它? 本期宜特小學堂，就讓我們帶您深入簡出了解第三代寬能隙半導體。 第三類寬能隙半導體到底在紅什麼?【宜特解你的痛EP.16】 Watch on. 一、為什麼需要用到第三代寬能隙半導體（Wide Band Gap，WBG）？ 由於近年地球暖化與碳排放衍生的環保問題日益嚴重，人類以節能、減碳、愛護地球為共同的首要發展方向，石化能源必須逐步減少並快速導入綠能節電的應用，因此在日常生活用品中也逐步以高能效、低能耗為目標。
2022年1月3日 · 至於第3類半導體材料，則以氮化鎵（GaN）和碳化矽（SiC）為主，近年來在氣候暖化效應促使「淨零碳排」議題受到矚目，次世代5G通訊技術趨於成熟，以及電動車、航太、資料中心與能源應用的加速推進，需求正高速起飛。 【第3類半導體】又稱寬能隙半導體（Wide Band Gap Semiconductors），中國稱第3代半導體，但第3代並不能取代第1代或第2代，各類半導體皆有適用的應用領域. 以氮化鎵和碳化矽為主的第3類半導體材料的優勢是，比起第1類和第2類半導體材料，能夠承受更高功率、高頻率（如毫米波），而且擁有極佳的散熱性能，因此可在特殊應用領域大展身手，例如基地台、電動車、低軌衛星、太陽能源等。
2020年8月18日 · 第三代半導體材料被稱為 「寬能隙半導體」（WBG） ，相對於以往的材料有著更寬的帶隙，帶隙越寬，越能 耐高溫 、 高壓 、 高頻 、 高電流 ，能源轉換效率也較好，因此氮化鎵集合了散熱佳、體積小、能源耗損小、功率高四種優良特性。 氮化鎵成為三原色LED最後一塊拼圖. 自1993年，氮化鎵大量使用在科技產業，日亞化學工業的中村修二成功透過氮化鎵製作出 藍色LED ，終於湊齊LED光三原色的最後一色。 所以氮化鎵開始廣為科技業使用並非是從電力或通訊設備開始。 5G時代來臨. 通訊進入5G時代後，科技發展逐漸走向 高頻 ，矽與砷化鎵開始無法負荷通訊設備高漲的頻率，而這也正好符合 氮化鎵高工作頻率的特性 ，高頻狀態下除了保持優異效能外也能維持穩定度。
