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碳化矽 （英語： silicon carbide，carborundum ），化學式SiC，俗稱 金剛砂 ，寶石名稱 鑽髓 ，為 矽 與 碳 相鍵結而成的 陶瓷 狀 化合物 ，碳化矽在大自然以 莫桑石 這種稀有的 礦物 的形式存在。. 自1893年起碳化矽粉末被大量用作磨料。. 將碳化矽粉末燒結可得到 ...
2023年11月3日 · 隨著科技行業的不斷演進，碳化矽（SiC）材料已經崛起為一個引人注目的技術趨勢，對於半導體和能源產業帶來了巨大的潛力，作為一種優越的 ...
碳化矽（英語： silicon carbide，carborundum ），化學式SiC，俗称金刚砂，宝石名称钻髓，为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化矽在大自然以莫桑石这种稀有的矿物的形式存在。
2020年12月15日 · 從手機到電動車都需要用到的碳化矽（SiC），可以說是邁入5G時代的重要半導體材料。. 大致來說，半導體材料可分為3個階段：第一階段是矽（Si）元素等基礎材料；第二階段是砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物半導體材料；最新的第三代半導體材料，則以 ...
SiC(碳化矽)係由矽(Si)與碳©所組成之化合物半導體材料。 絕緣破壞電場強度為Si的10倍、能隙為Si的3倍，不僅優異，從製作元件需要之p型, n型控制可在廣泛的範圍內進行等特色來看，做為超越Si極限的功率元件用材料備受期待。
2017年2月23日 · 碳化矽、SiC﹙Silicon Carbide﹚是比較新的半導體材料。. 一開始. SiC的物性和特徴. SiC是由矽﹙Si﹚和碳﹙C﹚所構成的化合物半導體材料。. 結合力非常強，在熱量上、化學上、機械上皆很安定。. SiC存在各種晶型（polytype），其物性値各有不同。. 功率元件方面，以4H ...
2022年4月12日 · 高溫與高崩潰電壓耐受力—碳化矽的絕佳優勢. 功率半導體元件廣泛應用於電力系統、電源供應器、汽車電子、馬達控制、無線射頻 (RF)系統、通訊設備或薄膜電晶體液晶顯示器等方面。 由於矽 (Si)價格低廉且技術成熟，目前絕大多數的功率半導體元件均為Si元件。 然而，因為Si的能隙只有1.12eV，在高功率應用時，有一些基本限制，包括低崩潰電壓、高特徵導通電阻 (R on,sp )、高逆偏漏電流、低工作溫度等，也因為耐壓以及導通電阻的限制，在高功率應用時，必須使用雙載子元件例如PiN二極體 (PND)或是絕緣閘極雙極性電晶體 (IGBT)，以取代單載子元件，如蕭特基位障二極體 (SBD)和金氧半場效應電晶體 (MOSFET)，這也使得功率與速度無法兼顧。
2021年4月14日 · 第三代半導體-碳化矽功率半導體元件的崛起. 李教授的團隊克服碳化矽材料的缺點，也克服了4吋機臺在製程上的限制，成功地開發出1200 V碳化矽超接面金氧半場效電晶體。. 李教授的團隊也經過多次精密的計算和模擬，不斷提高碳化矽功率元件的電壓和降低漏電 ...
碳化矽. 金剛砂又名碳化矽（SiC）是用 石英砂 、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化矽時需要加食鹽）等原料通過 電阻爐 高溫冶煉而成。. 碳化矽在大自然也存在罕見的礦物， 莫桑石 。. 碳化矽又稱 碳矽石 。. 在當代C、N、B等非氧化物高技術 耐火原料 中 ...
SiC的寬能隙 (Band Gap) 比現有Si (矽) 的能隙寬度寬3倍以上，可承受10倍以上的電壓，SiC的低損耗、高功率特性適用在高電壓與大電流的應用場域，包含電動車、電動車充電基礎設施、太陽能以及離岸風電等綠能發電設備。
