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第三代半導體，不同於第一代半導體材料（矽 Si、鍺 Ge）與第二代半導體材料（砷化鎵 GsAs、磷化銦 InP），第三代半導體的主要材料則為碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）兩種，由於產品特性的不同，各代半導體也分別有不同領域的應用。
2021年4月6日 · 全球對第 3 代半導體的投資掀起熱潮，相關公司股價表現熱絡，成為半導體投資的新星。 所謂第 1 代半導體材料矽、鍺等；第 2 代半導體材料砷化鎵、磷化銦等；第 3 代半導體材料為氮化鎵、碳化矽等。 但第 2、3 代不會取代第 1 代，而是依據不同的特性應用在其專長領域。 工研院產科國際所研究總監鄭華琦指出，第 2、3 代半導體材料為化合物半導體，重要特性為寬能隙（Wide band gap），比傳統半導體材料矽要寬很多，因此有耐高電壓、高電流的特性，可因應電動車、綠能、5G 基站、雷達及快充等終端應用趨勢。 應用範圍廣泛 進入門檻不低. 根據工研院產科國際所統計，目前第 1 代半導體材料的市占率約九成，第 2、3 代合計約10%。
碳化矽，英文：silicon carbide，carborundum，化學式：SiC，它是目前最新的第三代半導體材料之一。 其中第三代的氮化鎵、碳化矽，相較於第1代半導體材料的矽、鍺，以及第2代半導體材料砷化鎵、磷化銦，各自有不同的特性及用途。
2024年6月20日 · 預期透過合作，漢磊可望在一年至一年半後擁有8吋第三類半導體產能，8吋廠一旦到位，漢磊能擴大承接大廠IDM訂單，進一步提升在SiC、GaN等新興應用領域的營收占比！
2023年11月3日 · 隨著科技的飛速發展，碳化矽（SiC）和第三代半導體材料，正逐漸成為投資界的焦點，同時碳化矽（SiC）也代表新一代功率半導體的崛起，投資者應 ...
2023年2月23日 · 大叔表示目前台灣在第3代半導體領域，是「製造強，兩端弱」，做代工製造的公司很多，但有能力設計第3代半導體IC設計的公司卻不多。 高頻電路設計需要數學、物理、電磁波理論基礎，功率IC設計需機電（機械、電子、電機）整合背景，設計人才非常稀有。
2021年9月22日 · 第三代半導體發展超過30年，因為具有耐高電壓、高電流的特性，相比第一代半導體的矽（Si）、鍺（Ge），以及第二代半導體的砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP），第三代半導體的碳化矽（SiC）及氮化鎵（GaN）更適合用來發展電動車、5G、綠能等終端應用。
2021年12月24日 · 中信投顧分析，台亞半導體的更名新股，將於27日上市交易，正式晉身為半導體族群。積亞半導體初期資本額為3億元，後續將分階段增資至50億元，積亞將以切入磊晶製程為進軍第三代半導體的起點，技術預計來自於日亞化。
📌第三代半導體是什麼？ 🔍第三代半導體有著與前兩代不同的特點。它主要使用碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）等材料，不同於第一代（矽、鍺）和第二代（砷化鎵、磷化銦）半導體。這些不同的材料特性，讓第三代半導體在不同領域有獨特的應用。
2023年3月15日 · 台廠第三類半導體發展. 華冠投顧分析師劉烱德表示，第三類半導體碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）的特性是在高功率及耐高溫耐高壓，剛好就是全球發展電動車、充電樁、低軌衛星、5G 通訊、ESG 企業永續經營、綠能及儲能，所必須用到的新材料。 劉烱德指出，台廠在第三類半導體目前是晶圓代工的製造強，但是上游基板及 IC 設計的兩端弱，而製造晶圓的成本，基板占 50%、磊晶占 25%、元件晶圓占 20%，主要廠商都在國外，台廠又缺全方位 IC 設計人才，像是第三類半導體晶片 IC 設計需要結合數學、物理、電磁波、電子、電機、機械多面向專業。
