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具有整流特性的 金屬 - 半導體 界面
圖片: researchgate.net
- 蕭特基能障 （英語： Schottky barrier ），是指具有整流特性的 金屬 - 半導體 界面，就如同 二極體 具有整流特性。
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蕭特基能障 （英語： Schottky barrier），是指具有整流特性的 金屬 - 半導體 界面，就如同 二極體 具有整流特性。 蕭特基能障（障壁）相較於PN接面最大的區別在於具有較低的 接面電壓，以及在金屬端具有相當薄的 (幾乎不存在) 空乏層 寬度。 並非所有的金屬-半導體接面都是具有整流特性的，不具有整流特性的金屬-半導體接面則稱為 歐姆接觸。 整流屬性決定於金屬的 功函 、固有半導體的 能隙，以及半導體的 摻雜 類型及 濃度。 在設計半導體元件時需要對 蕭特基效應 相當熟悉，以確保不會在需要歐姆接觸的地方意外地產生蕭特基能障。 蕭特基能障命名自德國物理學家 華特·蕭特基 （Walter Hermann Schottky）。 優點. [編輯] 順向偏壓：
2023年3月14日 · 蕭特基能障（Schottky barrier）是由德國物理學家蕭特基（Walter Hans Schottky）於1914年所提出，金屬與半導體接觸會形成一道能障（Φ b ），這彷彿一道牆阻礙電子在兩者之間的流動，這牆壁的高度是由「金屬的功函數」（Work function, W）及「半導體 b
蕭特基堅強二極體是利用大順向電流來發熱。 發熱後漏電流(I R )變大，同時外殼溫度和環境溫度也會跟著上升。 一但散熱設計失常，就會造成發熱超過散熱，無法達到熱平衡，因而持續發熱。
蕭特基二極體（英語： Schottky diode ），又譯肖特基二極體，是一種導通電壓降較低、允許高速切換的二極體，是利用蕭特基能障特性而產生的電子元件，其名稱是為了紀念德國物理學家華特·蕭特基（Walter H. Schottky）。
2024年7月1日 · 二維 電晶體 中的金屬與半導體材料接觸面（蕭特基接觸），會形成一種能量障壁，稱為 蕭特基能障 （Schottky Barrier）。. 由於接觸面缺陷，導致某個能級上的能態數量過多，可以接受大量自由電子和空穴，導致半導體摻雜引入的電子或電洞全部填充到 ...
半導體與其他物質的交互作用可以產生豐富的應用，半導體碰到金屬時會形成蕭特基能障，再透過外加電壓調整能障大小，可以使電子單向通過，使電子電路產生整流的效果，若選擇合適的金屬與半導體作連結，則可以形成歐姆接觸，幫助科學家更精確地探索
蕭特基能障 （英語： Schottky barrier），是指具有整流特性的 金屬 - 半導體 界面，就如同 二極體 具有整流特性。 蕭特基能障（障壁）相較於PN接面最大的區別在於具有較低的 接面電壓，以及在金屬端具有相當薄的 (幾乎不存在) 空乏層 寬度。 並非所有的金屬-半導體接面都是具有整流特性的，不具有整流特性的金屬-半導體接面則稱為 歐姆接觸。 整流屬性決定於金屬的 功函 、固有半導體的 能隙，以及半導體的 摻雜 類型及 濃度。 在設計半導體元件時需要對 蕭特基效應 相當熟悉，以確保不會在需要歐姆接觸的地方意外地產生蕭特基能障。 蕭特基能障命名自德國物理學家 華特·蕭特基 （Walter Hermann Schottky）。 優點. 順向偏壓： 受熱激發的電子能夠漫延到金屬層。
