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金屬半導體場效電晶體之製作與量測. ( 一) 目的 瞭解如何在砷化鎵上製作金屬半導體場效電晶體(metal-semiconductor field effect transistor, MESFET), 並在實驗中熟悉元件製程和量測電壓- 電流特性的方法. ( 二) 實驗預習. MESFET 的結構, 操作原理及其理論模型. 在砷化鎵上, 如何形成歐姆接觸和空乏區. 分子束磊晶技術 (Molecular Beam Epitaxy, MBE) 的原理. 複習Kethley I-V 量測系統的使用方式. 說明本實驗所產生的廢液傾到何種回收筒 ?
場效電晶體簡介. 一般場效電晶體(field effect transistor,簡稱 FET)和雙極電晶體一樣都有三隻接腳,不過工作原理卻完全不同。 FET 的控制接腳稱為閘極(gate,簡稱G 極),顧名思義閘極的功用就如同水壩的閘門;而水壩上方的水庫可以提供水,對應到FET 的另一接腳稱做源極(source ,簡稱S 極) ;水壩下方水的出口,對應到FET的第三隻腳稱為汲極(drain,簡稱D 極)。 水流呢?那就對應到電流嘍!不過半導體中的電流可以是電子流或電洞流,利 用電子流來工作的稱為n通道場效電晶體. (n-channel FET),利 用電洞流來工作的稱為p 通道場效電晶體(p-channel FET)。
場效電晶體. 一. 實驗器材. 二. 預習作業. 以方塊圖表示n‐channel FET 結構。 以n‐channel 的FET 為例說明ID(Drain current )與VDS(Drain 與Source 之電壓差)的關係分別討論VGS = 0 及VGS < 0 兩情況時,ID‐VDS之關係。 當VDS 保持一定時,ID‐VGS的關係如何變化?試說明之。 三. 實驗步驟. ( 一) 利用三用電表判斷FET 的G、D、S端. 取一FET,記錄其編號。 三用電表旋至(R×1KΩ)檔,根據 ”參考資料 ( 一) ” 找出G極,並判斷其通道為p‐ 或n‐ channel ? ”參考資料 ( 二) ”, 找出D、S 極。
場效電晶體 （英語： field-effect transistor ，縮寫： FET ）是一種通過電場效應控制電流的電子元件。 它依靠 電場 去控制導電通道形狀，因此能控制 半導體材料 中某種類型 載子 的通道的 導電性 。 場效應電晶體有時被稱為「單極性 電晶體 」，以它的單載子型作用對比 雙極性電晶體 。 由於半導體材料的限制，以及曾經雙極性電晶體比場效應電晶體容易製造，場效應電晶體比雙極性電晶體要晚造出，但場效應電晶體的概念卻比雙極性電晶體早。 [1] 歷史 [ 編輯] 主條目： 電晶體的歷史. 場效應電晶體於1925年由Julius Edgar Lilienfeld和於1934年由Oskar Heil分別發明，但是實用的元件一直到1952年才被製造出來（ 結型場效應電晶體 ）。
2019年10月7日 · LED元件磊晶層的量子井與超晶格的膜厚與間距，是決定LED發光效率與磊晶應力的關鍵技術，因此精確且快速的自動量測方法，已成為各家LED磊晶廠迫切尋求的工具。 傳統手動的方式量測速度慢，且容易產生人為判斷的錯誤。 自動量測的方式如左圖所示，首先將LED量子井的TEM影像中每一個pixel的明亮對比影像 (a)，經由影像處理軟體將每一層的邊界都明確定義出來 (b)，然後經由統計學的方式計算量子井的參數。 因此可以將整張照片的所有數據點轉換成有意義的統計數字，而非只是單點量測的結果，這可以提供比較大面積的平均數值和厚度變化值，對磊晶層成長技術的開發，提供更科學化的數據回饋。
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由 5-1式場效電晶體在飽和區時的汲極電流公式我們知道在相同閘極電壓且相同元件尺寸下,影響汲極電流大小的因素包括了臨界電壓ヽ遷移率和絕緣層電容。 由於退火後絕緣層電容變小,所以造成退火後汲極電流增加的可能原因就是臨界電壓下降或是遷移率上升,在後續的小節將會有詳細的討論。 最 後我們發現. 前處理經過600°C退火的二氧化鉿場效電晶體其IDS-VDS曲線在低汲極電壓時並非線性的關係,這表示其串聯阻抗較大,可能是接觸窗蝕刻不良所造成。 = μ C ( V − V ) 2. , sat eff ox GS T L. (5-1 式) 5-4 臨界電壓(threshold voltage)
場效應電晶體的三個極則分別是源極 (Source)、 閘極(Gate) 和汲極(Drain)。 ( 圖1) 常見的電晶體分類. (二) 關於MOSFET. MOSFET 應該是人類使用最多的電晶體種類,特別是在電腦及通訊相關的電子設備中,大量的這種電晶體開關幫助我們處理、運算及記憶大量的數據。 由於MOSFET 的結構特別適合被縮小化,而且功率需求也小,在同一晶片上製作上千萬個電晶體開關變得可行。 (三) MOSFET的操作原理. MOSFET 控制通道的方式和JFET 不同,但元件特性有許多相同之處。 這裡我們以n 通道MOSFET(簡稱NMOS )為例來介紹他的構造與原理。 ( 圖2a) 為一典型的NMOS 的結構示意圖。
