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場效電晶體 （英語： field-effect transistor ，縮寫： FET ）是一種通過電場效應控制電流的電子元件。 它依靠 電場 去控制導電通道形狀，因此能控制 半導體材料 中某種類型 載子 的通道的 導電性 。 場效應電晶體有時被稱為「單極性 電晶體 」，以它的單載子型作用對比 雙極性電晶體 。 由於半導體材料的限制，以及曾經雙極性電晶體比場效應電晶體容易製造，場效應電晶體比雙極性電晶體要晚造出，但場效應電晶體的概念卻比雙極性電晶體早。 [1] 歷史 [ 編輯] 主條目： 電晶體的歷史. 場效應電晶體於1925年由Julius Edgar Lilienfeld和於1934年由Oskar Heil分別發明，但是實用的元件一直到1952年才被製造出來（ 結型場效應電晶體 ）。
場效電晶體 - 維基百科，自由的百科全書. 「 FET 」重新導向至此。 關於其他用法，請見「 FET (消歧義) 」。 大功率N溝道場效應晶體管. 場效應管 （英語： field-effect transistor ，縮寫： FET ）是一種通過電場效應控制電流的電子元件。 它依靠 電場 去控制導電溝道形狀，因此能控制 半導體材料 中某種類型 載流子 的溝道的 導電性 。 場效應晶體管有時被稱為「單極性 晶體管 」，以它的單載流子型作用對比 雙極性晶體管 。 由於半導體材料的限制，以及曾經雙極性晶體管比場效應晶體管容易製造，場效應晶體管比雙極性晶體管要晚造出，但場效應晶體管的概念卻比雙極性晶體管早。 [1] 歷史 [ 編輯] 主條目： 電晶體的歷史.
一般場效電晶體(field effect transistor,簡稱 FET)和雙極電晶體一樣都有三隻接腳,不過工作原理卻完全不同。 FET 的控制接腳稱為閘極(gate,簡稱G 極),顧名思義閘極的功用就如同水壩的閘門;而水壩上方的水庫可以提供水,對應到FET 的另一接腳稱做源極(source ,簡稱S 極) ;水壩下方水的出口,對應到FET的第三隻腳稱為汲極(drain,簡稱D 極)。 水流呢?那就對應到電流嘍!不過半導體中的電流可以是電子流或電洞流,利 用電子流來工作的稱為n通道場效電晶體. (n-channel FET),利 用電洞流來工作的稱為p 通道場效電晶體(p-channel FET)。
MOSFET ，簡稱「 MOS 」，其全稱為 金屬—氧化物— 半導體 場效電晶體 （MOSFET：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。 無論在 IC 設計裡，還是電路板應用上，都十分廣泛。 尤其在大功率半導體領域，各種結構的 MOSFET 更是發揮著不可替代的作用。 許多電子產品的零件組成，需要「MOSFET」，因此也會與 MOSFET 相關個股有密切相關！ 例如：電腦、平板電腦、智慧型手機及相關工業用品… 等。 不過 MOSFET 是什麼？ 究竟長什麼樣子？ MOSFET 是什麼？ MOSFET 是功率離散元件的主體之一，扮演著電源電子控制的角色（可以想像成是開關）。
場效應電晶體又分為 金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)和接面場效電晶體(junction FET,JFET) 如下( 圖1) ,其中MOSFET依其通道形成方式又可分成增強型( Enhancement-Type ) 與空乏型( Depletion-Type )兩種。 場效應電晶體的三個極則分別是源極 (Source)、 閘極(Gate) 和汲極(Drain)。 ( 圖1) 常見的電晶體分類. (二) 關於MOSFET. MOSFET 應該是人類使用最多的電晶體種類,特別是在電腦及通訊相關的電子設備中,大量的這種電晶體開關幫助我們處理、運算及記憶大量的數據。 由於MOSFET 的結構特別適合被縮小化,而且功率需求也小,在同一晶片上製作上千萬個電晶體開關變得可行。
金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為電子占多數的N通道型與 電洞 占多數的P通道型，通常被稱為N型金氧半場效電晶體（NMOSFET）與P型金氧半場效電晶體（PMOSFET）。 以金氧半場效電晶體（MOSFET）的命名來看，事實上會讓人得到錯誤的印象。 因為MOSFET跟英文單字「metal（ 金屬 ）」的第一個字母M，在當下大部分同類的元件裡是不存在的。 早期金氧半場效電晶體 閘極 使用金屬作為材料，但由於 多晶矽 在製造工藝中更耐高溫等特點，許多金氧半場效電晶體閘極採用後者而非前者金屬。 然而，隨著半導體特徵尺寸的不斷縮小，金屬作為閘極材料最近又再次得到了研究人員的注意。
2021年10月4日 · 掌握FinFET 技術就是掌握市場競爭力簡而言之，鰭式場效電晶體是閘極長度縮小到10奈米以下的關鍵，擁有這個技術的製程與專利，才能確保未來在半導體市場上的競爭力，這也是讓許多國際大廠趨之若騖的主因，而在過去幾年台積電與三星的競爭中，台積電幾乎是完勝三星，與台積電擁有成熟的鰭式場效電晶體（FinFET）製程與專利密不可分，也使得台積電成為臺灣少數具有國際競爭力的世界級高科技公司。 (本文由教育部補助「AI報報─AI科普推廣計畫」取得網路轉載授權) (Visited 1,349 times, 2 visits today) 分享至.
