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l ESD (Electrostatic Discharge) Protection in CMOS Integrated Circuits 柯明道教授的经典ESD教材。仔仔细细反反复复多看几遍。主要是基础和经典的ESD知识。l 集成电路ESD防护设计理论、方法与实践 浙大的韩雁教授和董树荣教授等编著
1.ESD是指两种带有不同电荷的物体相互靠近时，两者之间的绝缘介质被电场击穿形成导电通路，使得电荷发生转移中和。. 或者，带不同电荷的物体直接接触使电荷…. 与非导语 熔断器行业壁垒主要体现在资质认证和客户壁垒。. 常用的电路保护元器件主要可分为 ...
专栏 芯片级ESD防护
缘起ESD全称Elecrostatic Discharge。. 其实就是不同物品接触的时候互相有电子交换，根据“同性相斥，异性相吸”的原理，不同物品对于电子的束缚能力（吸引能力）也不同，因此当A物品接出B物品的时候可能就发生电子迁移，这样当A物品与C物品接触的时候，电压差 ...
浮地设备ESD保护功能，静电放电时，静电可以被电池吸收，可是如果浮地设备的电池被取下，会怎么样？浮地设备 [图片] [图片] 浮地设备的ESD静电保护功能中，静电的能量可以被电池吸收吸收，可是，如果将浮地设备的电池取出来，当发生静电放电时，会不会…
ESD管：ESD（Electrostatic Discharge Protection Devices），静电保护元器件，又称瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），是由多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局设计成具有特定功能的多路或单路ESD保护器件，主要应用于各类通信…
ESD静电击穿示意图 基于以上3个原因，对第3点静电破坏是相对比较容易理解的，它损坏后也可以通过解剖观察区分。 如上图所示，由于静电放电电压极高（数千伏），而放电时间极短（纳秒），所以当通过芯片内部某点放电，短时间的大电流就会对芯片造成损坏。
专栏 芯路
对于一般的MOS，源，漏，栅通常都需要silicide，只有少数特别的device会不长silicide，比如，用来做ESD防护的MOS，漏端会故意离栅远一些，漏到栅之间不长silicide，所以会看到SAB oxide. 9.2 到 9.3 之间少了一道SAB-ET. 为什么Cap Oxide只沉积在最左侧这个栅级上呢？.
之所以称为ESD静电二极管，就是因为它的作用就是在电子产品设备受到雷击浪涌与ESD静电放电或者其他瞬态电压时，可对电路进行一个防护效果，让电子产品电路免受瞬态雷击浪涌与ESD静电的损害。. ESD静电二极管的电容值很低，当器件并联于电路中时，当电路 ...
