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  1. 半導體製程 相關

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  1. 半導體元件製造 是用於製造 半導體 元件的過程,通常是 積體電路 (IC),如 電腦 處理器 、 微控制器 和 記憶晶片 (如 NAND 快閃記憶體和 DRAM ),這些元件存在於日常電子裝置中。. 這是一個多步 微影 和 物理 化學 過程(包括 熱氧化 、 薄膜沉積 、 離子佈 ...

  2. 業界對先進制程和成熟製程並無統一定義,最為廣泛應用的有兩個,分別為世界最大芯片市場 中國大陸 和世界最大半導體生產設備供應國 美國 所定:中國大陸對先進和成熟製程之定義較為寬鬆,即28納米及以上的芯片製程為成熟製程,小於28納米的為先進制程 ...

  3. 半导体器件制造 是用于制造 半导体 器件的过程,通常是 集成电路 (IC),如 计算机 处理器 、 微控制器 和 存储芯片 (如 NAND 闪存和 DRAM ),这些器件存在于日常电子设备中。. 这是一个多步 光刻 和 物理 化学 过程(包括 热氧化 、 薄膜沉积 、 离子 ...

  4. 5奈米製程是半導體製造程的一個水準。 在 半導體器件製造 中,《國際器件和系統路線圖》將5奈米工藝定義為繼7奈米之後 MOSFET 的又一技術節點。 商用5奈米製程基於具有 FinFET (鰭式場效應電晶體)的 多閘極電晶體 (MuGFET)技術,還有已得到證明的5奈米 ...

  5. 微影製程 (英語:photolithography 或 optical lithography,中國大陸稱為 光刻工藝 )是 半導體元件製造 製程中的一個重要步驟,該步驟利用曝光和顯影在光阻層上刻畫幾何圖形結構,然後通過 蝕刻 製程將光罩上的圖形轉移到所在 基板 上。 這裡所說的基板不僅包含 矽 晶圓 ,還可以是其他金屬層、媒介層,例如 玻璃 、 SOS 中的 藍寶石 。 概述 [ 編輯] 在矽晶片上塗光阻劑的甩膠機. 下面以基板上金屬連接的蝕刻為例講解微影過程。 首先,通過金屬化過程,在矽基板上布置一層僅數 奈米 厚的金屬層。 然後在這層金屬上覆上一層 光阻 。 這層光阻劑在曝光(一般是紫外線波長的 準分子雷射 )後可以被特定溶液(顯影液)溶解。

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  7. 業界對先進制程和成熟製程並無統一定義,最為廣泛應用的有兩個,分別為世界最大晶片市場 中國大陸 和世界最大半導體生產裝置供應國 美國 所定:中國大陸對先進和成熟製程之定義較為寬鬆,即28納米及以上的晶片製程為成熟製程,小於28納米的為先進制程。 [24] [25] [26] [27] [28] 如此定義的科學依據是根據晶片設計:當 電晶體 的尺寸小於25納米以下時,傳統的平面 場效應管 (planar field effect transistor / planar FET)的尺寸已經無法縮小,所以須採用 鰭式場效應電晶體 (FinFET)以將場效應管立體化,方能達到更小的製程。

  8. 半導體產業中,2奈米製程是在3奈米製程水準之後的下一個半導體製造 製程。 台積電 和 三星 皆規劃於2025年量產, 英特爾 最早宣布2027年量產,在更改節點命名後20A製程預計2024年量產。

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