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場效電晶體簡介. 一般場效電晶體(field effect transistor,簡稱 FET)和雙極電晶體一樣都有三隻接腳,不過工作原理卻完全不同。 FET 的控制接腳稱為閘極(gate,簡稱G 極),顧名思義閘極的功用就如同水壩的閘門;而水壩上方的水庫可以提供水,對應到FET 的另一接腳稱做源極(source ,簡稱S 極) ;水壩下方水的出口,對應到FET的第三隻腳稱為汲極(drain,簡稱D 極)。 水流呢?那就對應到電流嘍!不過半導體中的電流可以是電子流或電洞流,利 用電子流來工作的稱為n通道場效電晶體. (n-channel FET),利 用電洞流來工作的稱為p 通道場效電晶體(p-channel FET)。
場效電晶體 （英語： field-effect transistor ，縮寫： FET ）是一種通過電場效應控制電流的電子元件。 它依靠 電場 去控制導電通道形狀，因此能控制 半導體材料 中某種類型 載子 的通道的 導電性 。 場效應電晶體有時被稱為「單極性 電晶體 」，以它的單載子型作用對比 雙極性電晶體 。 由於半導體材料的限制，以及曾經雙極性電晶體比場效應電晶體容易製造，場效應電晶體比雙極性電晶體要晚造出，但場效應電晶體的概念卻比雙極性電晶體早。 [1] 歷史 [ 編輯] 主條目： 電晶體的歷史. 場效應電晶體於1925年由Julius Edgar Lilienfeld和於1934年由Oskar Heil分別發明，但是實用的元件一直到1952年才被製造出來（ 結型場效應電晶體 ）。
雙極性接面電晶體(Bipolar Junction Transistor,簡稱BJT)是一種電流控制的雙極性裝置,導通載子包括電子和電洞,其電流大小主要由基極電流(IB)來控制集極電流(IC)或射極電流(IE)。 場效應電晶體(Field Effect Transistor,簡稱FET)則是一種由電壓控制的單極性裝置,N 型通道FET是用電子傳導,P 型通道FET 是用電洞傳導。 FET 的分類:依其構造之不同區分為兩類. .接面場效應電晶體(Junction Field Effect Transistor,簡稱為JFET)
電晶體主要分為兩大類:雙極性電晶體(Bipolar Junction Transistor,BJT )和場效應電晶體(Field Effect Transistor,FET)。. 場效應電晶體又分為 金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)和接面場效電晶體(junction FET,JFET) 如下( 圖1) ,其中MOSFET依其通道形成方式又可分成增強型( Enhancement-Type ...
場效電晶體. 一. 實驗器材. 二. 預習作業. 以方塊圖表示n‐channel FET 結構。 以n‐channel 的FET 為例說明ID(Drain current )與VDS(Drain 與Source 之電壓差)的關係分別討論VGS = 0 及VGS < 0 兩情況時,ID‐VDS之關係。 當VDS 保持一定時,ID‐VGS的關係如何變化?試說明之。 三. 實驗步驟. ( 一) 利用三用電表判斷FET 的G、D、S端. 取一FET,記錄其編號。 三用電表旋至(R×1KΩ)檔,根據 ”參考資料 ( 一) ” 找出G極,並判斷其通道為p‐ 或n‐ channel ? ”參考資料 ( 二) ”, 找出D、S 極。
接面場效電晶體 （ JFET ，英語： junction gate field-effect transistor ）是單極 場效電晶體 中最簡單的一種。 它可以分 n 通道（ n-channel ）或者 p 通道（ p-channel ）兩種。 在下面的論述中主要以 n 通道接面場效電晶體為例，在 p 通道接面場效電晶體中 n 區和 p 區以及所有電壓正負和電流方向正好顛倒過來。 結構 [ 編輯] 通過柵電壓 UGS 導致的阻礙層大小的變化. n 通道接面場效電晶體由一個被一個 p 型 摻雜 （阻礙層）環繞的 n 型摻雜組成。 在 n 型摻雜上連有汲極（也稱漏極，來自英語 Drain ，因此也稱 D 極）和源極（來自英語 Source ，因此也稱 S 極）。
/ 一、接面場效電晶體之V-I特性曲線 電子學/ 何宏發教授 這個資源應顯示在彈出視窗 如果未生效，請點選這裡： 一、接面場效電晶體之V-I特性曲線 您現在是使用訪客身分登入 (登入) hhf98-1 ...
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