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  1. 搭配豐富的應用加工技術,在切割加工矽晶圓及以GaAs為代表的化合物半導體晶圓時,能夠獲得優良的加工品質。 可進行高難度的V型加工(Bevel cut)和Step Cut加工

  2. 所謂的鑽石切割,是利用切割時晶片內部所產生的應力原理,將晶粒切割成期望之形狀。 為了能將其裂痕控制的得心應手,必須選擇最適合晶圓片材質的刃口形狀。

  3. 晶圓切割,是 半導體器件製造 過程中,將 裸晶 從 半導體 成品 晶圓 上分離出來的過程。 [1] 晶圓切割進行於 光刻 工藝之後的,涉及劃線、斷裂、機械 鋸切 [2] 或 雷射切割 等等,切割方法通常都自動化以確保精度和準確性。 [3] 切割後單個 矽 晶片 可以被封裝到 晶片載體 中,用於構建 電子 設備,例如 計算機 等。 切割過程中,晶圓通常安裝在 切割膠帶 上,切割膠帶具有黏性背襯,可將晶圓固定在薄金框架上。 根據切割應用的不同,切割膠帶具有不同的特性。 UV固化膠帶用於較小尺寸,非UV切割膠帶用於較大晶片尺寸。 劃片鋸可以使用帶有鑽石顆粒的劃片刀片,以30,000 rpm的速度旋轉並用去離子水冷卻。 一旦晶圓被切割,留在切割帶上的片就被稱為 裸晶。

  4. 鑽石切割刀裝在筆桿式的工具,加上本配備即可切割晶圓片。 此產品包含筆桿式握具、上下切割板、兩種鑽石切割刀。 其中,切割板的設計,最大可畫出三英吋的精準直線。

  5. 提供晶圓切割服務,包括多專案晶圓(Multi Project Wafer, MPW)與不同材質晶圓切割服務。 其雙軸切割功能可同時兼顧正背面切割品質,加裝二流體清洗功能可對CMOS Sensor等潔淨度要求較高元件,提供高品質切割服務。

  6. SiC晶圓片的完美切割. SiC(碳化矽)晶圓片因材質問題而難以進行晶粒化加工。 介紹鑽石切割技術的翹楚-「捷科泰亞」所提出的解決方案。 碳化矽是現今最受矚目的素材。 被用於開發各種新元件,並打算進行大量生產。 但現今的晶粒化技術,還無法將碳化矽晶粒進行大量生產。 捷科泰亞一向自詡「切割業界的翹楚」,故投入現有技術解決此問題。 需求. 導入前的情況.問題. 碳化矽的晶粒化仍有技術上的困難,若以濕式 Dicing 進行切割,速度極慢, 而雷射切割則有粉塵、設備成本極高等問題。 解決方案. 試著以捷科泰亞專精的鑽石技術來解決問題。 重點. 評估理由. 捷科泰亞所研發出的幾石切割設備,價格低於雷射切割,同時生產效率遠高於濕式Dicing。 結果與狀況. 在本公司內進行試割,成功達到量產標準。

  7. 接下使用鑽石鋸就是一個表面附著鑽石微粒的圓形薄刃,來切割晶圓板。 這個鑽石鋸的精確度能夠將晶圓板切成相等的三等份。 切割完成後,使用特殊工具將UV膠帶拉出,從而使被切割的晶片稍微分開。

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