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搭配豐富的應用加工技術,在切割加工矽晶圓及以GaAs為代表的化合物半導體晶圓時,能夠獲得優良的加工品質。 可進行高難度的V型加工(Bevel cut)和Step Cut加工
所謂的鑽石切割,是利用切割時晶片內部所產生的應力原理,將晶粒切割成期望之形狀。 為了能將其裂痕控制的得心應手,必須選擇最適合晶圓片材質的刃口形狀。
晶圓切割,是 半導體器件製造 過程中,將 裸晶 從 半導體 成品 晶圓 上分離出來的過程。 [1] 晶圓切割進行於 光刻 工藝之後的,涉及劃線、斷裂、機械 鋸切 [2] 或 雷射切割 等等,切割方法通常都自動化以確保精度和準確性。 [3] 切割後單個 矽 晶片 可以被封裝到 晶片載體 中,用於構建 電子 設備,例如 計算機 等。 切割過程中,晶圓通常安裝在 切割膠帶 上,切割膠帶具有黏性背襯,可將晶圓固定在薄金框架上。 根據切割應用的不同,切割膠帶具有不同的特性。 UV固化膠帶用於較小尺寸,非UV切割膠帶用於較大晶片尺寸。 劃片鋸可以使用帶有鑽石顆粒的劃片刀片,以30,000 rpm的速度旋轉並用去離子水冷卻。 一旦晶圓被切割,留在切割帶上的片就被稱為 裸晶。
將鑽石切割刀裝在筆桿式的工具,加上本配備即可切割晶圓片。 此產品包含筆桿式握具、上下切割板、兩種鑽石切割刀。 其中,切割板的設計,最大可畫出三英吋的精準直線。
提供晶圓切割服務,包括多專案晶圓(Multi Project Wafer, MPW)與不同材質晶圓切割服務。 其雙軸切割功能可同時兼顧正背面切割品質,加裝二流體清洗功能可對CMOS Sensor等潔淨度要求較高元件,提供高品質切割服務。
SiC晶圓片的完美切割. SiC(碳化矽)晶圓片因材質問題而難以進行晶粒化加工。 介紹鑽石切割技術的翹楚-「捷科泰亞」所提出的解決方案。 碳化矽是現今最受矚目的素材。 被用於開發各種新元件,並打算進行大量生產。 但現今的晶粒化技術,還無法將碳化矽晶粒進行大量生產。 捷科泰亞一向自詡「切割業界的翹楚」,故投入現有技術解決此問題。 需求. 導入前的情況.問題. 碳化矽的晶粒化仍有技術上的困難,若以濕式 Dicing 進行切割,速度極慢, 而雷射切割則有粉塵、設備成本極高等問題。 解決方案. 試著以捷科泰亞專精的鑽石技術來解決問題。 重點. 評估理由. 捷科泰亞所研發出的幾石切割設備,價格低於雷射切割,同時生產效率遠高於濕式Dicing。 結果與狀況. 在本公司內進行試割,成功達到量產標準。
接下使用鑽石鋸,也就是一個表面附著鑽石微粒的圓形薄刃,來切割晶圓板。 這個鑽石鋸的精確度能夠將晶圓板切成相等的三等份。 切割完成後,使用特殊工具將UV膠帶拉出,從而使被切割的晶片稍微分開。
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