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蕭特基二極體（英語： Schottky diode ），又譯肖特基二極體，是一種導通電壓降較低、允許高速切換的二極體，是利用蕭特基能障特性而產生的電子元件，其名稱是為了紀念德國物理學家華特·蕭特基（Walter H. Schottky）。
蕭特基二極體. 一般二極體是利用PN接合的方式，而擁有二極體的特性，但蕭特基二極體卻是利用接合金屬和半導體後，所產生的蕭特基屏障的二極體。 一般而言，相較於採用PN接合的二極體，蕭特基二極體擁有順向電壓 (V F)低、開關快等特性。 但也存在著漏電流 (I R)大，一但散熱設計失常，就會引發熱崩潰的缺點。 大多用在電源部輸出端整流上。 其特性會因為使用的金屬材料而大不相同，羅姆半導體產品使用數種金屬， 低V F 型的RB**1系列產品. 低I R 型的RB**0系列產品. 車規專用的超低I R 型的RB**8系列產品. 擁有堅強產品陣容。 特點. 只要改變金屬材料的種類，就能製造出低V F タイプ、低I R 型的產品。 關於熱崩潰. 蕭特基堅強二極體是利用大順向電流來發熱。
2022年2月21日 · 肖特基二極體，也被稱為熱載流子二極體，是一種具有低正向壓降和非常快速的開關動作的半導體二極體。. 當電流流過肖特基二極體時，肖特基二級管端子上有一個小的電壓降。. 普通二極體的電壓壓降在0.6V-1.7V之間，而肖特基二極體的電壓降通常在0.15V-0.45V ...
肖特基二極體 （英語： Schottky diode），又譯 萧特基二極體，是一種導通電壓降較低、允許高速切換的 二極體，是利用 蕭特基能障 特性而產生的電子元件，其名稱是為了紀念德國物理學家 華特·蕭特基 （Walter H. Schottky）。 肖特基二极體的 導通電壓 非常低。 一般的二極體在電流流過時，會產生約 0.7-1.7 伏特的電壓降，不過肖特基二極體的電壓降只有 0.15-0.45 伏特，因此可以提昇系統的效率。 結構. 肖特基二極體是利用金屬-半導體接面作為肖特基勢壘，以產生整流的效果，和一般二極體中由半導體-半導體接面產生的 P-N接面 不同。 肖特基勢壘的特性使得肖特基二極體的導通電壓降較低，而且可以提高切換的速度。 反向恢復時間.
SiC採用高速元件構造之SBD(蕭特基二極體)構造，可實現600V以上的高耐壓二極體(Si則SBD到200V左右)。 為此，藉由更換現在主流之高速PN接合二極體(FRD:快速回復二極體)可大幅削減回復損耗。
肖特基（Schottky）二極體也稱肖特基勢壘二極體（簡稱SBD），它是一種低功耗、超高速半導體器件，廣泛套用於開關電源、變頻器、驅動器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極體、續流二極體、保護二極體使用，或在微波通信等電路中作整流二極體、小
肖特基二極體（英語：Schottky diode），又譯萧特基二極體，是一種導通電壓降較低、允許高速切換的二極體，是利用蕭特基能障特性而產生的電子元件，其名稱是為了紀念德國物理學家華特·蕭特基（Walter H. Schottky）。 此條目需要补充更多来源。 (2023年6月28日) 肖特基二极體的符號各種不同的肖特基二極體，左側是小信號的肖特基二極體，中間和右側則是中高功率的肖特基二極體. 肖特基二极體的導通電壓非常低。 一般的二極體在電流流過時，會產生約 0.7-1.7 伏特的電壓降，不過肖特基二極體的電壓降只有 0.15-0.45 伏特，因此可以提昇系統的效率。
蕭特基二極體 （英語： Schottky diode ），又譯 肖特基二極體 ，是一種導通電壓降較低、允許高速切換的 二極體 ，是利用 蕭特基能障 特性而產生的電子元件，其名稱是為了紀念德國物理學家 華特·蕭特基 （Walter H. Schottky）。. 蕭特基二極體的符號. 各種不同的 ...
2017年4月27日 · Si-SBD的特徴. 上次已經說明，Si-SBD並非PN接面，而是利用矽與所謂阻障金屬層﹙barrier metal﹚之金属接合（蕭基特接面）形成蕭基特障壁的二極體。. Si-SBD的特性取決於阻障金屬層﹙barrier metal﹚的種類。. 而且，其特性的差異決定應用程式的合不合適。. 下表彙整了 ...
肖特基二極體 （英語： Schottky diode），又譯 萧特基二極體，是一種導通電壓降較低、允許高速切換的 二極體，是利用 蕭特基能障 特性而產生的電子元件，其名稱是為了紀念德國物理學家 華特·蕭特基 （Walter H. Schottky）。 肖特基二极體的 導通電壓 非常低。 一般的二極體在電流流過時，會產生約 0.7-1.7 伏特的電壓降，不過肖特基二極體的電壓降只有 0.15-0.45 伏特，因此可以提昇系統的效率。 結構. [编辑] 肖特基二極體是利用金屬-半導體接面作為肖特基勢壘，以產生整流的效果，和一般二極體中由半導體-半導體接面產生的 P-N接面 不同。 肖特基勢壘的特性使得肖特基二極體的導通電壓降較低，而且可以提高切換的速度。 反向恢復時間. [编辑]
