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蕭特基二極體（英語： Schottky diode ），又譯肖特基二極體，是一種導通電壓降較低、允許高速切換的二極體，是利用蕭特基能障特性而產生的電子元件，其名稱是為了紀念德國物理學家華特·蕭特基（Walter H. Schottky）。
肖特基二極體 （英語： Schottky diode），又譯 萧特基二極體，是一種導通電壓降較低、允許高速切換的 二極體，是利用 蕭特基能障 特性而產生的電子元件，其名稱是為了紀念德國物理學家 華特·蕭特基 （Walter H. Schottky）。 肖特基二极體的 導通電壓 非常低。 一般的二極體在電流流過時，會產生約 0.7-1.7 伏特的電壓降，不過肖特基二極體的電壓降只有 0.15-0.45 伏特，因此可以提昇系統的效率。 結構. 肖特基二極體是利用金屬-半導體接面作為肖特基勢壘，以產生整流的效果，和一般二極體中由半導體-半導體接面產生的 P-N接面 不同。 肖特基勢壘的特性使得肖特基二極體的導通電壓降較低，而且可以提高切換的速度。 反向恢復時間.
蕭特基二極體. 一般二極體是利用PN接合的方式，而擁有二極體的特性，但蕭特基二極體卻是利用接合金屬和半導體後，所產生的蕭特基屏障的二極體。 一般而言，相較於採用PN接合的二極體，蕭特基二極體擁有順向電壓 (V F)低、開關快等特性。 但也存在著漏電流 (I R)大，一但散熱設計失常，就會引發熱崩潰的缺點。 大多用在電源部輸出端整流上。 其特性會因為使用的金屬材料而大不相同，羅姆半導體產品使用數種金屬， 低V F 型的RB**1系列產品. 低I R 型的RB**0系列產品. 車規專用的超低I R 型的RB**8系列產品. 擁有堅強產品陣容。 特點. 只要改變金屬材料的種類，就能製造出低V F タイプ、低I R 型的產品。 關於熱崩潰. 蕭特基堅強二極體是利用大順向電流來發熱。
肖特基（Schottky）二極體也稱肖特基勢壘二極體（簡稱SBD），它是一種低功耗、超高速半導體器件，廣泛套用於開關電源、變頻器、驅動器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極體、續流二極體、保護二極體使用，或在微波通信等電路中作整流二極體、小
SiC採用高速元件構造之SBD(蕭特基二極體)構造，可實現600V以上的高耐壓二極體(Si則SBD到200V左右)。 為此，藉由更換現在主流之高速PN接合二極體(FRD:快速回復二極體)可大幅削減回復損耗。
蕭特基二極體 （英語： Schottky diode），又譯 肖特基二極體，是一種導通電壓降較低、允許高速切換的 二極體，是利用 蕭特基能障 特性而產生的電子元件，其名稱是為了紀念德國物理學家 華特·蕭特基 （Walter H. Schottky）。. 蕭特基二極體的符號. 各種不同的蕭特 ...
2022年2月21日 · 肖特基二極體，也被稱為熱載流子二極體，是一種具有低正向壓降和非常快速的開關動作的半導體二極體。 當電流流過肖特基二極體時，肖特基二級管端子上有一個小的電壓降。 普通二極體的電壓壓降在0.6V-1.7V之間，而肖特基二極體的電壓降通常在0.15V-0.45V之間。 這種較低的電壓降提供了更好的系統效率和更高的開關速度。 在肖特基二極體中，半導體和金屬之間形成了一個半導體-金屬結，從而形成了肖特基勢壘。 N型半導體作為陰極，金屬側作為二極體的陽極。 這種肖特基勢壘導致低正向電壓降和非常快速的開關。 肖特極二極體電路符號. 肖基特二極體內部結構. 肖特基二極體是通過將摻雜的半導體區域（通常是N型）與金屬（例如金、銀、鉑）連接起來而形成的。 不是PN結，而是金屬-半導體，如下圖所示。
蕭特基二極體 利用金屬和半導體二者的接合面的「蕭特基效應」的整流作用。由於順向的切入電壓較低，導通回復時間也短，適合用於高頻率的整流。一般而言漏電流較多，突波耐受度較低。也有針對此缺點做改善的品種推出。
2019年11月12日 · 如今，有更精巧的特殊用途二極體能取代傳統方法，包括變容管 (或稱可變電容)、PIN、肖特基和齊納二極體。 這些二極體類型的設計能強化二極體的一些獨特特性，以低成本的二極體結構來填補利基應用。 比起傳統解決方案，在這些應用中使用特殊用途二極體即可縮小尺寸、降低成本並增進效率。 典型的用途包括切換式電源供應器、微波與 RF 衰減器、RF 訊號來源和收發器。 本文將探討特殊用途二極體的角色與運作，接著會以 Skyworks Solutions 和 ON Semiconductor 的產品為例，探討這種二極體的典型特性。 最後會透過電路範例，說明如何有效地使用這些元件。 齊納二極體參考電壓. 齊納二極體能在受到逆向偏壓時，讓整個二極體維持固定的電壓。
2017年4月27日 · Si-SBD的特徴. 上次已經說明，Si-SBD並非PN接面，而是利用矽與所謂阻障金屬層﹙barrier metal﹚之金属接合（蕭基特接面）形成蕭基特障壁的二極體。. Si-SBD的特性取決於阻障金屬層﹙barrier metal﹚的種類。. 而且，其特性的差異決定應用程式的合不合適。. 下 ...
