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圖中有兩個閘極的接墊（pads）以及三組源極與汲極的接墊。. 金屬氧化物半導體場效 電晶體 （簡稱： 金氧半場效電晶體 ；英語： Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ， 縮寫 ： MOSFET ），是一種可以廣泛使用在 類比電路 與 數位電路 的 場效電晶體 。. 金屬 ...
MOSFET ，簡稱「 MOS 」，其全稱為 金屬—氧化物— 半導體 場效電晶體 （MOSFET：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。. 無論在 IC 設計裡，還是電路板應用上，都十分廣泛。. 尤其在大功率半導體領域，各種結構的 MOSFET 更是發揮著不可替代的作用。. 許多電子 ...
金屬-氧化物半導體場效應電晶體，簡稱金氧半場效電晶體（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效電晶體（field-effect transistor）。 MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。 基本介紹. 中文名 ：金屬- 氧化層 半導體場效電晶體. 外文名 ：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor. 核心 ：金屬—氧化層—半導體 電容. 發明時間 ：1960年.
功率MOSFET 是專門處理大功率的 電壓 和 電流 的 金屬氧化物半導體場效電晶體 （MOSFET），也是 功率半導體 （英語：power semiconductor device） 的一種。 和其他功率半導體（例如 絕緣柵雙極電晶體 或 晶閘管 ）比較，功率MOSFET的優點是其切換速度快，在低電壓下的高效率。 功率MOSFET和IGBT都有隔離的閘體，因此在驅動上比較容易。 功率MOSFET的缺點是增益較小，有時閘極驅動的電壓甚至比實際要控制的電壓還低。 MOSFET及 互補式金屬氧化物半導體 （CMOS）技術持續的演進，自1960年起已用在 積體電路 上，這也是功率MOSFET的設計得以實現的原因。 功率MOSFET和一般信號級的MOSFET原理相同。
untitled. 場效電晶體簡介. 一般場效電晶體(field effect transistor,簡稱 FET)和雙極電晶體一樣都有三隻接腳,不過工作原理卻完全不同。 FET 的控制接腳稱為閘極(gate,簡稱G 極),顧名思義閘極的功用就如同水壩的閘門;而水壩上方的水庫可以提供水,對應到FET 的另一接腳稱做源極(source ,簡稱S 極) ;水壩下方水的出口,對應到FET的第三隻腳稱為汲極(drain,簡稱D 極)。 水流呢?那就對應到電流嘍!不過半導體中的電流可以是電子流或電洞流,利 用電子流來工作的稱為n通道場效電晶體. (n-channel FET),利 用電洞流來工作的稱為p 通道場效電晶體(p-channel FET)。
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電晶體主要分為兩大類:雙極性電晶體(Bipolar Junction Transistor,BJT )和場效應電晶體(Field Effect Transistor,FET)。. 場效應電晶體又分為 金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)和接面場效電晶體(junction FET,JFET) 如下( 圖1) ,其中MOSFET依其通道形成方式又可分成增強型( Enhancement-Type ...
金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；英語：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，縮寫：MOSFET），是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效電晶體。
