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  1. www.force-mos.com力士科技股份有限公司 - Force mos

    力士科技股份有限公司 Force mos. 地址： 242新北市新莊區思源路555號24樓 | 電話： (02)8976-9223 | 傳真： (02)8976-9335.

    • 公司簡介

      台灣MOSFET技術集成電路設計之先驅. MOSFET製程主要使用先 ...

    • 訊息發布

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    • MOSFETs

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      Bipolar Transistors - 力士科技股份有限公司 - Force mos

  2. www.force-mos.com › web › indexForce-mos簡

    2017年12月6日 · LEVs Technology. Battery Charger Station. The ETG technology to Hi-power trench mos apply to BUCK,BOOST,SR and PWM control topology in the a very small outline surface mount package.

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  4. www.force-mos.com › web › about力士科技股份有限公司 - Force mos

    台灣MOSFET技術集成電路設計之先驅. MOSFET製程主要使用先進的0.25/0.18/0.13 µm製程技術，全方位應用在低壓及中﹑高電壓領域。 我們擁有類比積體電路﹑MOSFET ﹑肖特基二極體和被動零件等銷售項目，在Co- Pak或COB達到最有效的管理和應用。 我們擁有MOSFET ﹑類比積體電路最佳設計及製程整合技術團隊。 公司名稱：力士科技股份有限公司. 成立時間：2007年6月11日. 資本額：3.39億. 主要股東：鍾明道 秉家投資有限公司 鍾秉家 宜鼎投資股份有限公司. 董監事成員：董事：鍾明道、張晋誠、廖裕輝、 涂高維、鍾秉家 獨立董事：孫德至律師、 霍玲玲會計師、謝美姿會計師、陳夢萍會計師. 公司核心：研發設計和銷售溝槽式金氧半電晶體和類比IC.

  5. www.tripletw.com.tw › portfolio › itemsForce Mos - 力士科技

    Force Mos - 力士科技. 台灣MOSFET技術集成電路設計之先驅 MOSFET製程主要使用先進的0.25/0.18/0.13 µm製程技術，全方位應用在低壓及中﹑高電壓領域。. 我們擁有類比積體電路﹑MOSFET ﹑肖特基二極體和被動零件等銷售項目，在Co- Pak或COB達到最有效的管理和應用。. 我們 ...

  6. www.emis.com › php › company-profileForce Mos Technology Co., Ltd. (Taiwan, China)

    2024年7月4日 · Force Mos is a professional power electronics design company. In the field of power management IC design, the main business projects are research and development of trench power MOS-FET power plant (PowerMOSFET) and trench-type power insulated gate bipolar power field-effect transistors (IGBT), applied in electronic products, such as ...

  7. finance.yahoo.com › quote › 4923Force MOS Technology Co., LTD. (4923.TWO) - Yahoo Finance

    2024年8月30日 · Force MOS Technology Co., LTD. engages in the design, development, and sale of MOSFETs and analog ICs in Taiwan and Mainland China. It offers bipolar transistors; diodes and rectifiers; and...

  8. en.tripletw.com.tw › portfolio › itemsForce Mos

    Force Mos is a world leading MOSFET technology IC design house in Taiwan.u000bu000bLeading edge MOSFET technologies in 0.25/0.18/0.13 um for Low Voltage, medium and high voltages. Achieve total solution of power management and conversion applications by incorporating with analog IC, MOSFET, Schottky diode and passive components in Co-Pak or COB.

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