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2021年11月5日 · 全球搶攻第三代半導體商機，也是台灣半導體產業重視的領域，但有專家指稱「第三代半導體」其實來自中國，且含中國對半導體產業的野心，所以建議台灣產官學界應該「正名」，但如果要改，該怎麼稱呼？
2021年10月5日 · 工研院電光所所長吳志毅表示， 「第三代半導體」其實是中國取的名稱，建議台灣產官學界應該將碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等正名為「化合物半導體」。 什麼是化合物半導體？ 隨著 電動車、5G、衛星通訊領域快速發展，砷化鎵（GaAs）、碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）等化合物半導體（Compound Semiconductor ）的戰略重要性大幅提升。 化合物半導體擁有耐高溫、高壓的特性，是帶領 5G、電動車、再生能源、工業 4.0 技術發展的下一步關鍵。 而透過化合物半導體材料製成的元件，可以讓電動車、5G 及綠色能源設備運作效率更加提升。 化合物半導體怎麼漸漸被叫成「第三代半導體」？
第三代半導體，不同於第一代半導體材料（矽 Si、鍺 Ge）與第二代半導體材料（砷化鎵 GsAs、磷化銦 InP），第三代半導體的主要材料則為碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）兩種，由於產品特性的不同，各代半導體也分別有不同領域的應用。
GaN(氮化鎵)與SiC(碳化矽)這兩種寬能隙(wide band gap)半導體被稱為第三代半導體，因具有更好的物理和化學特性，且擁有高功率、耐高溫、高崩潰電壓 ...
2021年6月17日 · 第3代半導體是目前高科技領域最熱門的話題，不只中國想要這個技術，從歐洲、美國到台灣，所有人都在快速結盟，想在這個機會裡分一杯羹。 為什麼第三代半導體這麼火熱？ 它的應用與商機在哪裡？ 過去30年，台積電、聯電擅長製造的邏輯IC，基本上都是以矽做為材料。 但矽也有一些弱點，如果用門做比喻，用矽做的半導體，就像是用木頭做的木門，輕輕一拉就能打開（從絕緣變成導電）。 用第2代或第3代化合物半導體就像是鐵門，甚至金庫的大門，需要很大的力氣，要施加大的電壓，才能讓半導體材料打開大門，讓電子通過。 因此，要處理高電壓、高頻訊號，或是在訊號的轉換速度上，第3代半導體都優於傳統的矽。 目前，坊間所稱的第2代半導體，指的是砷化鎵、磷化銦這兩種半導體材料，「這是1980年代發展出來的技術。
2021年4月18日 · 目前，坊間所稱的第二代半導體，指的是砷化鎵、磷化銦這兩種半導體材料，「這是 1980 年代發展出來的技術。 」拓墣產業研究院分析師王尊民說，現在所稱的第三代半導體，指的是氮化鎵（GaN）和碳化矽（SiC）這兩種材料，「這是 2000 年之後才開始投入市場的新技術」。 尤其，第 3 類半導體並不好做，以通訊晶片為例，要按照不同的通訊需求，選擇不同的材料，在原子等級的尺度下精確排好，難度有如給你各種不同形狀的石頭，堆出一座穩固的高塔，誰能用這些材料，生產出更省電、性能更好的電晶體，就是這個市場的勝利者。 目前，第三代半導體有 3 個主要應用市場。 第 1，是將氮化鎵材料用來製作 5G、高頻通訊的材料（簡稱 RF GaN）。
2021年展露頭角的第三代寬能隙半導體在高功率的應用裡引起各方注意，就連晶圓代工大廠都搶先佈局， 由此可見寬能隙(WBG) 在新的應用場域存在著無窮的潛力。
2021年9月4日 · 第三代半導體材料主要為「氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）」，由於帶隙寬大於一、二代材料，有更好的物理化學特性，像是高頻、高功率、低功耗，可耐高溫與高電壓等，適合應用在5G、電動車、光學雷達（LiDAR）、快充、風力發電等應用。 氮化鎵、碳化矽雙路線 第三代應用有哪些？ 根據工研院產科國際所統計，目前第二代與第三代半導體材料市占率合計約1成，去年市場規模約298億美元，但2025年有望成長至361.7億美元，2030年規模上看435億美元，成長力備受期待，而第三代半導體又分為氮化鎵（GaN）與碳化矽（SiC）兩大路線，主要的應用方向也有區別。
半導體（德語： Halbleiter, 英語： Semiconductor, 法語： Semi-conducteur ），是一種電導率在絕緣體至導體之間的物質或材料。半導體在某個溫度範圍內，隨溫度升高而增加電荷載子的濃度，使得電導率上升、電阻率下降；在絕對零度時
2021年9月28日 · 隨著5G、電動車、星鏈計畫的起飛，以氮化鎵 (GaN)、碳化矽 (SiC)為代表的第三代半導體快速崛起，競爭趨於白熱化，已經成為美、中、歐、日等大國，以及國際IDM大廠角力重點。 究竟它們有何魔力，成為投資界的當紅炸子雞？ 三代半導體比一比. 還記得化學元素週期表嗎？ 橫行稱為週期，縱列稱作族。...
