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  2. 2023年10月8日 · 官方頻道. 影音頻道. IG帳號. 三星電子顯然也意識到了 EUV 光罩護膜在提升 EUV 良率的重要性一直在積極開發和評估由碳奈米管和石墨烯製成的 EUV 光罩護膜旨在開發滿足 92% EUV 透射率的石墨烯護膜

  3. 2023年12月4日 · EUV 光罩護膜Pellicle是光罩上的薄膜保護光罩免於微塵或揮發性氣體的污染使 EUV 順利傳輸。 光罩護膜也是 EUV 曝光時的關鍵零件,目的是增加晶片生產良率,減少光罩使用時的清潔和檢驗。 三星今年初聲稱已開發出透光率達 88% 的 EUV 光罩護膜,且這款產品已經可以量產,而 Kang 表示三星 EUV 護膜透光率再度增加,達到 90%。 其中,透光率 90% 的意思是只有 90% 進入薄膜的光線能到達光罩,這可能會影響電路圖案的精度。 這比更常見的氟化氬(ArF)製程中使用的薄膜透光率(99.3%)還低。

  4. 2023年12月5日 · EUV 光罩護膜Pellicle是光罩上的薄膜保護光罩免於微塵或揮發性氣體的污染使 EUV 順利傳輸光罩護膜也是 EUV 曝光時的關鍵零件,目的是增加晶片生產良率,減少光罩使用時的清潔和檢驗。 三星今年初聲稱已開發出透光率達 88% 的 EUV 光罩護

  5. 2020年7月9日 · 台積公司選用無保護膜的EUV光罩以提高透光性減少EUV微影製程曝光光能損耗為進一步解決無保護膜EUV光罩的落塵問題台積公司品質暨可靠性組織攜手技術發展營運組織民國107年起共同開發落塵分析技術。 台積公司以顛覆傳統的創新思維,研發「乾式EUV光罩潔淨技術」,透過乾式技術快速去除落塵,取代需要使用純水與化學品的濕式清潔手法;同時,以次奈米級分析技術精準定位落塵來源,從根本排除汙染源。 經不斷的測試與優化,民國109年成功使落塵削減率超過99%。 台積公司乾式EUV光罩潔淨技術. 乾式潔淨技術提升能資源使用效率,累計創造20億元改善效益.

  6. 2023年12月23日 · 這些光罩護膜被設計用來保護光罩在極紫外光EUV曝光時免受污染不僅具備很高的極紫外光EUV穿透率≧94%和極低的極紫外光EUV反射率對曝光的影響也能控制到最小這些都是要讓先進半導體製造達到高良率和高產量所需的關鍵性能這些奈米碳管CNT光罩護膜甚至還能承受超過 1kW 等級的極紫外光(EUV)輸出功率,有助於發展新世代(高於600W)的極紫外光源技術。 於量產導入極紫外光(EUV)微影技術的廠商對這些性能產生濃厚興趣。 因此,此次合作的雙方將攜手開發可供商用的奈米碳管(CNT)光罩護膜技術,以滿足市場需求。 imec 先進圖形化製程與材料研究計畫的資深副總 Steven Scheer 表示,在協助半導體生態系發展新世代微影技術方面,imec 擁有多年經驗。

  7. 2023年2月15日 · 光罩護膜是極紫外光 (EUV) 微影曝光時的關鍵零件在光罩加裝一層護膜機器在上面繪製要刻上晶圓的電路以免光罩受空氣微塵或揮發性氣體污染同時減少光罩損壞率。 主要供應商是荷蘭 ASML、日本三井化學和南韓 S&S Tech。 三星 Foundry Forum 2021 就宣佈要自研 EUV 護膜,2023 年初開發透光率達 88% 的 EUV 護膜。 照三星說法,EUV 護膜應已量產,有助達成供應鏈多元化和穩定。 不過三星要繼續開發,因 88% 透光率護膜並不是品質最好的產品。 韓媒 BusinessKorea 報導,三星半導體研究所近期徵才啟事顯示三星積極開發透光率 92% 的 EUV 護膜。

  8. 光罩護膜是極紫外光 (EUV) 微影曝光時的關鍵零件在光罩加裝一層護膜機器在上面繪製要刻上晶圓的電路以免光罩受空氣微塵或揮發性氣體污染同時減少光罩損壞率。 主要供應商是荷蘭 ASML、日本三井化學和南韓 S&S Tech。 三星 Foundry Forum 2021 就宣佈要自研 EUV 護膜,2023 年初開發透光率達 88% 的 EUV 護膜。 照三星說法,EUV 護膜應已量產,有助達成供應鏈多元化和穩定。 不過三星要繼續開發,因 88% 透光率護膜並不是品質最好的產品。 韓媒 BusinessKorea 報導,三星半導體研究所近期徵才啟事顯示三星積極開發透光率 92% 的 EUV 護膜。