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- 經營項目： 為提供優質的電路路保護解決方案，林朋致力於二極體的研發、製造能力及創新技術以提供瞬態電壓抑制二極體 (Transient Voltage Suppressor)、齊納二極體 (Zener diodes)及整流二極體 (Rectifier diodes)等三種主要半導體功率分離元件產品。
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林朋提供哪些半導體功率分離元件產品?
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半導體矽片的生產流程有哪些?
半導體元件有哪些?
產品. 為提供優質的電路路保護解決方案，林朋致力於二極體的研發、製造能力及創新技術以提供瞬態電壓抑制二極體 (Transient Voltage Suppressor)、齊納二極體 (Zener diodes)及整流二極體 (Rectifier diodes)等三種主要半導體功率分離元件產品。. 亦可提供客戶各種不同封裝 ...
林朋科技成立 • 設立整流晶圓廠 • 開發完成 TVS & Rectifier 及量產 • 設立 SMA & SMC封裝線 • 開發完 Zener 及量產 • 通過 ISO 14001 認證 • 設立 SMB 封裝線 • 推出穩壓 Zener 產品 • 推出高功率 TVS 系列 • 通過 TS-16949 認證 • 推出高電流 AK 系列
- 矽基、碳化矽基的認識
- 主要生產流程
- 製造污染問題分析
- 材料屬性對比
- 總結與展望
在功率半導體領域，主要的材料是矽和碳化矽等，首先看矽基。 全球半導體矽片產業市場集中度很高，主要被日本、德國、韓國、台灣等國家的企業佔據。目前，全球前五大半導體矽片企業規模較大，合計市場佔有率達 93% 。其中， 1. 日本信越化學市場佔有率 27.58% 2. 日本勝高（SUMCO）市場佔有率 24.33% 3. 德國世創（Siltronic）市場佔有率 14.22% 4. 台灣環球晶圓（ 6488-TW ）市場佔有率為 16.28% 5. 韓國 SK Siltron 市場佔有率佔比為 10.16% 相較於產業前五大半導體矽片企業，矽產業集團規模較小，佔全球半導體矽片市場佔有率 2.18%。近年來隨著中國對半導體業的高度重視，在產業政策和地方政府的推動下，中國半導體矽片產業的新建項目也不斷...
在對原理和技術有了基本了解以後，我們進一步探討其製造流程。首先看矽基生產流程。 半導體矽片的生產流程較長，涉及工藝較多。半導體拋光片生產環節包含了拉晶、滾圓、切割、 研磨、蝕刻、拋光、清洗等工藝；半導體外延片生產過程主要為在拋光片的基礎上進行外延生長；SOI 矽片主要採用鍵合或離子注入等方式製作。半導體矽片每一個工藝環節均會影響產成品的質量、性能與可靠性。 根據製造工藝分類，半導體矽片主要可以分為拋光片、外延片與以 SOI 矽片為代表的高端矽基材料。單晶矽錠經過切割、研磨和拋光處理後得到拋光片。拋光片經過外延生長形成外延片，拋光片經過氧化、鍵合或離子注入等工藝處理後形成 SOI 矽片。隨著積體電路特徵線寬的不斷縮小，光刻機的景深也越來越小，矽晶片極其微小的高度差都會使積體電路佈線圖發生變形、...
在討論這些材料時，不能忽視污染產生的方面，我們同樣從矽基個碳化矽基兩個方向分析。 首先看矽基生產污染。其生產經營中的多個環節涉及環境污染，生產過程中將產生一定量的廢水、 廢氣、固廢和噪音。 1. 廢水包括工藝廢水、廢氣處理系統廢水，各生產環節中均有一定量的清洗廢水產生 2. 廢氣包括微酸性廢氣、外延廢氣、廢水處理系統廢氣和微鹼性廢氣，其中微酸性廢氣主要來源於應力清除、清洗環節，外延廢氣來自於外延環節，廢水處理系統廢氣來自於廢氣處理 3. 固廢主要包括廢化學包裝、廢石英坩堝、廢石墨熱場、廢磨輪、廢金剛線等，固廢產生的生產環節包括拉晶、研磨、拋光、廢水處理等環節 4. 噪音來源主要為廢氣系統風機、冷卻塔、空壓機、空調機組、各類泵等 ▲ 圖三矽基生產污染及處理注：圖片來源於巨浪資訊 再看碳化矽污染...
第一、二、三、四代半導體材料各有利弊，並無絕對的替代關係，而是在特定的應用場景中存在各自的比較優勢。這應該是建立的一個常識認知。以下材料的性能對比： 注 1：碳化矽有 200 多種結構，以上為常見的 4H -SiC，氧化鎵為β-氧化鎵 注 2：數據來源為《寬禁帶半導體高頻及微波功率元件與電路》，趙正平著，國防工業出版 矽屬於半導體材料，其自身的導電性並不是很好。然而，可以通過添加適當的摻雜劑來精確控制它的電阻率。 製造半導體前，必須將矽轉換為晶圓。這要從矽錠的生長開始。單晶矽是原子以三維空間模式週期形成的固體，這種模式貫穿整個材料。多晶矽是很多具有不同晶向的小單晶體單獨形成的，不能用來做半導體電路。多晶矽必須融化成單晶體，才能加工成半導體應用中使用的晶圓片。加工矽晶片產生一個矽錠要花一周到一...
總結以上資訊可知，中國的半導體事業正處於蒸蒸日上百家爭鳴的繁榮快速發展階段，目前矽基產品在市場的佔有率很大，但是局限性明顯，碳化矽基片的產品明顯優勢很多，但是相對於矽基其價格、製備難度等等是阻礙其發展的一大挑戰。 注：文章部分數據作者根據公司官方公佈數據進行了一定程度上的四捨五入等基礎處理，所有圖片來源注上來源於巨浪諮詢！此外，文章的公司排名帶有作者的一些主觀觀點，因作者資料有限，如有不當之處，作者現在此表示歉意，同時公司介紹排序亦與公司實力無關，僅為一個介紹前後問題！請知悉。 *免責聲明：本文由作者原創。文章內容係作者個人觀點，半導體產業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體產業觀察對該觀按讚同或支持，如果有任何異議，歡迎聯繫半導體產業觀察。 《36氪》授權轉載 【延伸閱讀】 1....
瞬態電壓抑制二極體. 整流二極體. 關於林朋. 品質保證. 2018年度產品型錄. 886-4-26819555. sales@anova-semi.com. live:anova.semi. 台中市大甲區東二街22號.
2020年2月1日 · 基本上，功率半導體大致可分為功率離散元件 (Power Discrete) 與功率積體電路 (Power IC) 二大類，其中，功率離散元件產品包括 MOSFET、二極體，及 IGBT，當中又以 MOSFET 與 IGBT 最為重要。 MOSFET、IGBT 主要用於將發電設備所產生電壓和頻率雜亂不一的電流，透過 一系列的轉換調製變成擁有特定電能參數的電流，以供應各類終端電子設備，成為電子電力變化裝置的核心元件之一。 而全球功率半導體市場中，用於工業控制比重最高，達 34%，其次是汽車及通訊領域各占 23%，消費電子則占 20%。 近年來，功率半導體的應用領域已從工業控制和消費電子拓展至新能源、軌道交通、智慧電網、變頻家電等市場，整體市場規模呈現穩定成長趨勢。
2002年5月29日 · 如圖一所示，半導體元件 (Semiconductor)可以分為積體電路 (IC)、分離式元件 (Discrete)和光電元件 (Optoelectronic)三大類。 而分離式元件又可再細分為二極體 (Diodes)、電晶體 (Transistors)與閘流器 (Thyristors)這三部分。 圖一 半導體產業產品關聯圖. 貳、分離式元件的功能及用途....
2009年6月3日 · 功率半導體產品大致可分為功率分離式元件 (Power Discrete)及功率積體電路 (Power IC)等兩大類。 其中功率電晶體產品包含金氧半功率場效電晶體 (Power MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors))、雙載子接面電晶體 (Bipolar Power...
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